时间：2025/6/29 16:09:53
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RFU02VS8SGTR是一款来自Rohm公司的超低导通电阻的N沟道功率MOSFET，采用小型化的USP-6B封装形式。该器件主要针对空间受限且对效率要求较高的应用而设计。其典型应用包括便携式电子设备中的负载开关、DC-DC转换器以及电池保护电路等。通过优化的工艺技术，RFU02VS8SGTR能够在较小的体积内提供出色的电气性能和可靠性。
最大漏源电压(VDS)源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：2.4A
导通电阻(RDS(on))：15mΩ (在VGS=4.5V时)
栅极电荷(Qg)：7nC
总功耗(Ptot)：690mW
工作温度范围(Ta)：-55°C至+150°C
RFU02VS8SGTR具有非常低的导通电阻，这有助于降低功率损耗并提高系统的整体效率。此外，其小型化的USP-6B封装使其非常适合用于对空间有严格限制的设计中。
由于采用了先进的半导体制造工艺，RFU02VS8SGTR还具备优异的热特性和稳定性，在高负载条件下仍能保持稳定的性能表现。
另外，它拥有快速开关速度，可以有效减少开关损耗，同时具备良好的抗静电能力(ESD)，从而提高了产品的可靠性。
RFU02VS8SGTR广泛应用于各种便携式电子产品中，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备及蓝牙耳机等。这些产品通常需要高效的电源管理方案来延长电池寿命。
除此之外，这款MOSFET也适用于其他领域，如多节锂电池保护电路、电机驱动电路以及小型化适配器等场景下的开关控制功能。
RFU03WS8SGTR
