时间：2025/8/12 11:14:31
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RFT616501CARH 是一款由 STMicroelectronics 生产的射频（RF）功率晶体管，主要用于高频放大应用。这款晶体管采用了先进的LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）技术，提供了出色的性能和可靠性，适合用于通信系统、广播设备和工业应用中的射频功率放大。
类型：LDMOS RF功率晶体管
最大漏极电流：50A
最大工作电压：65V
工作频率范围：1.8 MHz 至 60 MHz
输出功率：可达125W
封装类型：TO-247
热阻（结到壳）：0.35°C/W
工作温度范围：-65°C 至 +150°C
RFT616501CARH 拥有高性能的LDMOS技术，提供了高功率增益和高效率。其设计使其能够在广泛的频率范围内稳定工作，同时保持较低的失真和高线性度。这款晶体管的热性能优越，能够在高功率条件下保持较低的温度上升，从而延长使用寿命并提高可靠性。
此外，RFT616501CARH 具有良好的热稳定性，能够在恶劣的环境条件下工作。其高击穿电压能力和强大的电流处理能力使其非常适合用于高功率射频应用。晶体管的封装设计也便于散热，确保在高功率操作时的热管理。这款器件的性能使其成为许多射频功率放大器设计的理想选择。
RFT616501CARH 主要用于射频功率放大器的设计，适用于广播、通信系统和工业设备。在广播领域，它可用于AM/FM广播发射机的功率放大器，提供高保真音频信号。在通信系统中，这款晶体管可以用于基站、无线接入点和其他射频传输设备，支持高效的数据传输。在工业应用中，它可以用于射频加热、测试设备和功率调节系统，确保稳定的功率输出和高效的能量转换。由于其高性能和可靠性，RFT616501CARH 也被广泛应用于科研和军事设备中。
RFT616501CARH的替代型号包括RFT616501C和RFA30H12SM。
