RFSA2624TR13是一款由Renesas Electronics制造的射频开关芯片,属于单刀双掷(SPDT)开关类型。该芯片专为高性能无线通信系统设计,具有低插入损耗、高隔离度和出色的线性度,适用于多种高频应用。RFSA2624TR13采用TQFN封装,便于在PCB上集成,适用于便携式设备和基站等应用。该芯片广泛用于无线基础设施、蜂窝通信、Wi-Fi 6E、5G和物联网(IoT)设备中。
类型:单刀双掷(SPDT)射频开关
频率范围:DC至6 GHz
插入损耗:典型值0.35 dB(在2.7 GHz)
隔离度:典型值35 dB(在2.7 GHz)
回波损耗:典型值20 dB(在2.7 GHz)
工作电压:2.5 V至5.5 V
控制电压:1.8 V兼容
封装类型:TQFN(16引脚)
工作温度范围:-40°C至+105°C
RFSA2624TR13具有多项卓越的电气和机械特性,使其在高频射频开关应用中表现出色。首先,该器件的工作频率范围覆盖DC至6 GHz,支持多种无线通信标准,包括5G、Wi-Fi 6E、LTE和WiMAX等。其低插入损耗(典型值0.35 dB)确保了信号传输的高效性,同时高隔离度(典型值35 dB)可有效减少通道间的干扰。此外,该开关具有良好的回波损耗性能(典型值20 dB),表明其在宽频率范围内具有优异的阻抗匹配能力。
该芯片采用1.8 V兼容的数字控制接口,允许直接连接到低电压逻辑控制器,简化了系统设计。其宽工作电压范围(2.5 V至5.5 V)增强了设计灵活性,并支持在多种电源条件下稳定运行。RFSA2624TR13的TQFN封装(16引脚)不仅节省空间,还提供了良好的热管理和高频性能。
该器件具有出色的线性度和高功率处理能力,最大输入功率可达+34 dBm(连续波信号),适用于高可靠性应用,如基站、中继器和工业通信设备。其内部采用先进的CMOS工艺制造,确保了低功耗和高稳定性。此外,该开关支持快速切换时间(典型值小于100 ns),可满足现代通信系统对响应速度的要求。
RFSA2624TR13适用于广泛的射频系统设计,包括无线基础设施(如宏基站、微基站)、5G和Wi-Fi 6E接入点、蜂窝中继器、IoT网关和测试测量设备。其高隔离度和低插入损耗特性使其成为多频段通信设备、射频前端模块(FEM)和天线调谐系统中的理想选择。此外,该芯片还可用于无线音频系统、雷达和医疗射频设备。
PE42642-10, HMC642, SKY13407-396LF, ASL121S, RFSA2613TR13