型号：RFS1317-185KL
　　制造商：Qorvo (原RFMD)
　　工艺技术：GaAs HBT
　　工作频率范围：700 MHz 至 1000 MHz
　　小信号增益：典型值32 dB
　　输出P1dB（压缩点）：+31 dBm（典型值）
　　饱和输出功率（Psat）：+33 dBm（最小值）
　　电源电压（Vcc）：+28 V
　　静态工作电流（Icq）：典型值180 mA
　　调制精度误差（EVM）：优于3% @ LTE 10MHz信号
　　输入/输出阻抗：50 Ω（集成匹配）
　　封装类型：表面贴装模块（SMM）
　　尺寸：约9.0 mm × 7.0 mm × 2.0 mm
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　内置定向耦合器：支持VSWR检测
　　内置温度传感器：支持热保护与功率控制
　　回波损耗（输入/输出）：>15 dB（典型值）
　　二次谐波抑制：>45 dBc
　　三阶交调失真（IMD3）：<-35 dBc @ +28 dBm 输出

RFS1317-185KL在射频性能方面表现出色，具备宽频带操作能力，可在700 MHz至1000 MHz范围内实现平坦的增益响应和稳定的输出功率，确保在不同频段下的兼容性和一致性。其高增益特性（典型值32 dB）显著减少了前级驱动级的设计压力，允许使用较低功率的驱动放大器或直接由混频器输出驱动，从而降低整体前端链路成本和功耗。该器件采用GaAs HBT工艺，兼具高击穿电压和优良的热稳定性，能够承受较高的负载失配（VSWR高达3:1），在天线端口存在反射的情况下仍能保持可靠运行，非常适合部署在环境复杂、天线条件不理想的基站场景中。
　　该芯片集成了完整的输入/输出匹配网络，用户无需进行复杂的外部匹配调试，大幅缩短产品开发周期并提高生产良率。此外，片内集成的定向耦合器可实时监测正向和反向功率，支持自动电平控制（ALC）和驻波比（VSWR）告警功能，提升系统的智能化水平和故障诊断能力。内置温度传感器配合闭环功率控制机制，可在环境温度变化或长时间高负荷运行时动态调整偏置电流，防止过热导致性能下降或器件损坏，延长使用寿命。
　　RFS1317-185KL还具备出色的线性度表现，在处理高PAPR（峰均比）的OFDM和LTE信号时仍能维持较低的误差矢量幅度（EVM）和邻道泄漏比（ACLR），满足严格的通信标准要求。其高效率设计使得在典型工作条件下直流到射频的功率转换效率可达25%以上，有助于降低运营成本和散热需求。整个模块经过全面测试和可靠性验证，符合工业级环境标准，支持无铅回流焊工艺，适用于自动化大规模生产。

RFS1317-185KL主要用于各类蜂窝通信基础设施中的射频功率放大阶段，特别是在需要中等输出功率且对线性度和可靠性要求较高的场合。典型应用包括4G LTE宏蜂窝基站的主功率放大级或预驱动级，尤其适用于Band 12、Band 13、Band 17等700 MHz频段的低频部署，这些频段具有良好的建筑物穿透能力和广域覆盖特性，是运营商建设农村和城市边缘网络的重要资源。在微蜂窝和小型蜂窝基站（Small Cell）中，该器件可用于增强局部容量，解决高密度用户区域的拥塞问题，如购物中心、体育场馆和地铁站等封闭或半封闭空间。
　　该芯片也适用于分布式天线系统（DAS）中的远程射频单元（RRU），作为最终发射通道的核心放大元件，将基带信号经上变频后进行功率放大并通过同轴电缆或光纤传输至多个天线节点。在多载波GSM系统中，RFS1317-185KL能够同时放大多个GSM载波信号而不会产生严重互调干扰，保证语音通话质量和系统容量。此外，它还可用于公共安全通信系统、专网集群通信（TETRA、P25）以及有线电视反向路径放大器等非公网领域，展现出良好的通用性和适应性。由于其具备良好的热管理和失配容忍能力，即使在户外高温或潮湿环境下也能稳定运行，因此广泛部署于塔顶放大器（TMA）和一体化射频拉远单元（RRH）中。

RFS1317-185KT
　　RFS1314-185KL
　　AMC-2612L5
　　PB1001J2833L