时间：2025/8/12 20:54:21
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RFR5200F48BCCP-TR 是一款由 Renesas（瑞萨电子）推出的高性能射频（RF）功率晶体管，主要用于无线通信系统中的射频放大应用。该器件基于先进的LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）技术，具备高效率、高增益和高输出功率的特点，适用于基站、无线基础设施、广播系统以及工业和医疗设备等应用场景。该晶体管工作频率范围覆盖UHF至微波频段，支持多种通信标准，如GSM、CDMA、W-CDMA、LTE等。其封装设计为工业级标准，具备良好的散热性能和可靠性，适合在严苛的环境条件下长期运行。
类型：射频功率晶体管
技术：LDMOS
工作频率：最高支持至2.7 GHz
输出功率：典型值为125W（CW）
增益：典型值23dB
效率：典型值65%
漏极电压（Vds）：最大65V
栅极电压（Vgs）：最大±20V
工作温度范围：-65°C至+200°C
封装类型：表面贴装（SMD）
输入和输出阻抗：50Ω
RFR5200F48BCCP-TR 射频功率晶体管采用了先进的LDMOS半导体工艺，具备出色的射频性能和稳定性。其高输出功率能力使其能够胜任高要求的射频放大任务，特别是在多载波和宽带通信系统中表现优异。该器件具有高增益特性，通常可达23dB，从而减少了对前级放大器的需求，简化了整体系统设计。同时，其高效能设计（典型效率65%）降低了功耗，提高了能源利用率，对于需要长时间运行的通信设备尤为重要。
此外，该晶体管具备良好的线性度和稳定性，能够在不同负载条件下保持稳定的输出性能，从而提高通信系统的整体信号质量。其封装设计采用高导热材料，具备良好的散热性能，有助于提高器件的可靠性和寿命。RFR5200F48BCCP-TR 还具备良好的抗失真能力，适用于高线性度要求的应用场景，如4G LTE和5G前传基站等。
RFR5200F48BCCP-TR 主要用于高性能射频放大器的设计，广泛应用于无线通信基础设施，如蜂窝基站、微波通信系统、广播发射器以及工业和医疗射频设备。该器件特别适合用于多载波和宽带通信系统中的高功率放大应用。由于其优异的线性度和高效率，该晶体管也适用于4G LTE、5G NR等新一代通信标准的基站设计。此外，它还可以用于测试设备、射频加热装置以及高精度测量仪器等专业领域。
NXP MRFE6VP61K25H, Infineon BFP840HE6327XTSA1
