RFR3300D3JT 时间：2025/8/12 15:41:49 阅读：25

RFR3300D3JT 是一款由 Vishay（威世科技）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高频、高功率应用而设计。该器件采用了先进的沟槽技术，具备低导通电阻、高效率和优异的热性能，适用于无线通信设备、射频功率放大器和其他需要高频率操作的电源管理系统。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：60V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：18A
　　导通电阻(Rds(on))：33mΩ（典型值）
　　功率耗散(Pd)：150W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-263（表面贴装）

特性

RFR3300D3JT 的核心特性之一是其低导通电阻（Rds(on)）仅为 33mΩ，这有助于减少导通损耗，提高整体系统效率。其采用的沟槽式 MOSFET 技术优化了载流能力，同时降低了开关损耗，适用于高频操作。该器件的高电流承载能力（18A）使其适用于高功率密度设计，例如射频功率放大器和 DC-DC 转换器。
　　此外，RFR3300D3JT 具备良好的热稳定性，其 TO-263 封装设计提供了优良的散热性能，确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。器件的栅极驱动电压范围宽泛（±20V），兼容多种驱动电路设计，提高了其在不同应用中的灵活性。该 MOSFET 还具有较高的 dv/dt 耐受能力，减少了因电压瞬变引起的潜在故障风险。
　　从封装角度来看，TO-263 是一种表面贴装封装，适用于自动化装配工艺，降低了制造成本并提升了 PCB 的空间利用率。该封装同时具备良好的机械强度和电气隔离性能，适合工业级和通信级应用。