类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：40V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　最大连续漏极电流（ID）：120A（在VGS=10V时）
　　导通电阻（RDS(on)）：3.2mΩ（典型值，VGS=10V）
　　最大耗散功率（PD）：150W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：PowerFLAT 5x6

RFQ5045具备多个显著的技术特性，使其在功率MOSFET领域具有竞争优势。
　　首先，该器件采用先进的沟槽栅技术，使得RDS(on)显著降低，从而减少了导通损耗，提高了系统的整体效率。其典型的RDS(on)值为3.2mΩ，在高电流应用中表现出色。
　　其次，RFQ5045具有较高的电流承载能力，最大连续漏极电流可达120A，适用于高功率需求的应用场景，如服务器电源、工业电源以及电动工具等。
　　此外，该MOSFET采用了PowerFLAT 5x6封装，具有较小的尺寸和良好的散热性能，适合在空间受限的设计中使用。同时，该封装具备较低的热阻，有助于提高器件的热稳定性。
　　RFQ5045还具备良好的抗雪崩能力和较高的可靠性，能够在极端工作条件下保持稳定运行。其栅极氧化层设计具有较高的耐用性，能够承受较大的栅极电压波动，提高了器件的长期使用稳定性。
　　最后，该器件符合RoHS环保标准，无铅封装，适用于对环保要求较高的电子产品设计。

RFQ5045广泛应用于多种高功率电子系统中。首先，在开关电源（SMPS）中，该MOSFET可作为主开关或同步整流器使用，其低导通电阻和高电流能力有助于提高电源效率并降低损耗。
　　其次，在DC-DC转换器中，RFQ5045常用于高侧或低侧开关，适用于多相转换器和负载点（POL）电源设计，特别是在服务器和电信设备中需要高效率和高可靠性的场合。
　　此外，该器件还可用于电机驱动和负载开关应用，如电动工具、电动车控制器以及工业自动化设备中的功率控制模块。
　　由于其良好的热性能和紧凑的封装设计，RFQ5045也适用于空间受限的便携式设备和高密度电源模块设计。
　　在电池管理系统（BMS）中，该MOSFET可用于充放电控制和保护电路，确保电池组的安全高效运行。

IRF1010E, FDP6675, SiR182DP, IPB013N04NG