RFPD3890 时间：2025/8/15 22:11:30 阅读：4

RFPD3890是一款高性能的射频功率晶体管，专为高频应用设计。该器件基于先进的LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）技术制造，具有高增益、高效率和出色的线性度，广泛应用于无线通信、基站、广播系统以及工业和医疗射频设备中。RFPD3890在高频段（如UHF、L波段和S波段）中表现出色，能够在高功率条件下稳定工作。

参数

类型：射频功率晶体管
　　工艺技术：LDMOS
　　工作频率范围：DC至3 GHz
　　最大输出功率：典型值250 W（CW）
　　增益：约20 dB
　　效率：典型值大于65%
　　工作电压：典型值28 V
　　封装形式：大功率气密封装
　　热阻：约0.15°C/W（结到壳）
　　输入回波损耗：典型值15 dB
　　工作温度范围：-65°C至+150°C

特性

RFPD3890采用了先进的LDMOS工艺，使其在高频应用中具有出色的性能。其高输出功率能力使其非常适合用于高功率射频放大器设计。该器件在3 GHz频率范围内具有良好的增益和稳定性，能够提供高效的功率放大。此外，RFPD3890的热阻较低，确保在高功率工作条件下仍能保持良好的散热性能，从而提高系统的可靠性和寿命。
　　该晶体管具有良好的输入回波损耗，有助于减少信号反射，提高系统的整体效率。同时，其宽工作温度范围使其能够在各种恶劣环境下稳定运行。RFPD3890还具有良好的线性度，适合用于需要高信号保真的通信系统，例如4G/5G基站、雷达系统和广播发射机。
　　此外，RFPD3890的设计考虑了易用性和集成性，便于工程师在各种射频功率放大器电路中使用。其标准的封装形式支持多种安装方式，适用于不同的系统架构。