时间：2025/8/15 11:00:55
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RFPD3580C是一款由RFPD（Radio Frequency Power Devices）制造的射频功率晶体管，专为高频和高功率应用而设计。该器件基于LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）技术制造，能够在高频段提供高效率和高功率输出，适用于通信、广播、工业加热和医疗设备等领域。RFPD3580C通常用于UHF（超高频）和VHF（甚高频）波段，具备良好的热稳定性和高可靠性，适合在苛刻环境下运行。
工作频率：50 MHz - 1 GHz
最大输出功率：800 W
增益：27 dB
效率：65%（典型值）
工作电压：28 V
输入驻波比（VSWR）：< 2.5:1
工作温度范围：-40°C至+150°C
封装形式：气腔陶瓷封装
热阻（Rth）：0.25°C/W
输入功率：20 W
工作模式：AB类
RFPD3580C采用先进的LDMOS技术，具有出色的线性度和高功率密度，能够在高频段提供稳定的性能。该器件具有良好的热管理和高耐久性，能够承受较高的负载失配，从而在恶劣环境下保持稳定的工作状态。其高效率特性使得在相同输出功率下功耗更低，减少了散热需求，提高了系统的可靠性。
此外，RFPD3580C具备宽频带特性，适合多频段或多用途应用，且在宽频率范围内保持较高的增益和输出功率。该晶体管的输入和输出匹配网络已经内部优化，减少了外部元件的需求，简化了设计流程并提高了整体系统的集成度。
RFPD3580C还具备高抗失真能力，适用于需要高信号完整性的应用，如数字广播、无线通信和雷达系统。它支持高数据速率传输，并在多载波环境下表现出色，能够满足现代通信系统对高线性度的要求。
RFPD3580C广泛应用于广播发射机（如DAB、FM、TV发射机）、无线通信基站（包括4G LTE和5G基础设施）、工业与医疗射频设备、雷达系统、测试仪器以及高功率射频放大器模块。其高功率输出和宽频带特性使其成为多用途射频放大系统中的理想选择。在广播领域，RFPD3580C可用于高功率发射机的末级放大，确保高质量音频和视频信号的传输。在无线通信系统中，该器件适用于基站功率放大器，支持高效率和高线性度的信号传输。此外，它还可用于工业加热设备和科学仪器中的射频能量控制。
NXP BLF888B, Freescale MRFE6VP61K25H, STMicroelectronics STD12NM52K3
