时间：2025/8/15 19:14:54
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RFPD2648 是一款由 Renesas Electronics（瑞萨电子）推出的高功率 GaN（氮化镓）射频晶体管，专为高性能射频功率放大应用而设计。这款晶体管采用先进的 GaN 技术制造，具有高频操作、高输出功率密度和高效率的特点，广泛应用于无线通信、基站、雷达和测试设备等领域。RFPD2648 支持在 2.4 GHz 至 2.7 GHz 频率范围内工作，是一款非常适合现代高性能射频系统的器件。
频率范围：2.4 GHz - 2.7 GHz
输出功率：典型值为 65 W
效率：典型值为 65%
工作电压：+28 V
输入阻抗：50 Ω
封装类型：螺栓型金属封装
增益：典型值为 16 dB
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
RFPD2648 的核心特性是其基于 GaN 半导体材料的卓越性能。GaN 材料具有高电子迁移率、高击穿电压和优异的热稳定性，这使得 RFPD2648 能够在高频下提供高功率密度和高效率。此外，该晶体管的宽带设计使其适用于 2.4 GHz 到 2.7 GHz 的多个频段，适应性强。
该器件具有良好的线性度和稳定性，能够在恶劣的环境条件下保持可靠的性能。RFPD2648 的螺栓型金属封装不仅提供了良好的散热性能，还确保了机械强度和射频连接的可靠性。这种封装方式非常适合高功率射频应用，确保器件在高功率工作状态下的稳定性和耐用性。
RFPD2648 还具备较高的增益（典型值为 16 dB），这减少了对前级放大器的需求，简化了系统设计。同时，该器件的高效率特性（典型值为 65%）降低了功耗，提高了能源利用率，这对于需要长时间运行的射频系统尤为重要。
RFPD2648 主要用于高性能射频功率放大器的设计，适用于无线通信基础设施（如 4G 和 5G 基站）、工业和科学设备、雷达系统以及测试与测量设备。其高频和高功率特性使其成为现代通信系统中关键的射频放大元件。此外，RFPD2648 还可用于射频加热、等离子体生成和无线能量传输等特殊应用领域。
CGH40060、G270065PD、NPT2648
