时间：2025/9/11 16:53:20
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RFP9N50是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理、开关电路以及各种功率转换应用。该器件采用TO-220封装，具有较高的耐压和电流能力，适合用于高效率开关电源、DC-DC转换器以及电机控制电路中。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：500V
栅源电压（Vgs）：±30V
漏极电流（Id）：9A（连续）
导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.85Ω
功率耗散（Pd）：75W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-220
RFP9N50具备低导通电阻，可有效降低导通损耗，提高系统效率。其高耐压能力（500V）使其适用于高电压输入的开关电源和逆变器系统。该MOSFET具有良好的热稳定性和高可靠性，能够在恶劣的工作环境下稳定运行。
此外，RFP9N50采用先进的平面工艺技术制造，确保了器件的高稳定性和耐用性。其TO-220封装便于安装和散热管理，适合多种工业级应用。该器件的快速开关特性也有助于提升系统的整体响应速度和效率。
在实际应用中，RFP9N50具有较强的过载和短路承受能力，同时配合适当的栅极驱动电路可以实现高效的功率控制。其优异的动态特性也使其适用于高频开关环境。
RFP9N50主要应用于各类功率电子设备，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池充电器、电机驱动器以及工业自动化控制系统。此外，它还可用于LED驱动电源、家电控制电路以及新能源系统中的逆变器设计。由于其高耐压和较大电流承载能力，RFP9N50非常适合用于需要高可靠性和高效能的电力电子系统中。
IRF840、FQP9N50C、RFP9N50C、TK9A50D
