时间：2025/12/29 14:15:36
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RFP7N35是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由安森美半导体（onsemi）生产。该器件适用于多种电源管理应用，尤其是在需要高效率、高可靠性和低导通电阻的场合。RFP7N35采用TO-220封装，适合用于工业控制、电源转换、电机驱动和负载开关等应用场景。
类型：N沟道
最大漏极电流（ID）：7A
最大漏极-源极电压（VDS）：350V
最大栅极-源极电压（VGS）：±30V
导通电阻（RDS(on)）：1.8Ω（最大值）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-220
RFP7N35具有低导通电阻的特点，这使得在导通状态下功率损耗最小化，提高了系统的整体效率。此外，该MOSFET具有较高的耐压能力，能够承受高达350V的漏极-源极电压，适用于中高功率应用。器件的栅极驱动设计允许使用常见的驱动电路，简化了在各种电路中的集成过程。
RFP7N35还具备良好的热稳定性和过载能力，确保在高负荷条件下也能保持稳定运行。其TO-220封装提供了良好的散热性能，便于在电路板上安装和散热管理。该器件符合RoHS标准，适合环保应用。
RFP7N35常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC适配器、电机控制电路、照明控制系统以及工业自动化设备中的负载开关。其高耐压和低导通电阻的特性使其成为许多中高功率电子系统中的关键元件。
IRF7N35、FQP7N35、STP7NA35、RFP7N35C、RFP7N35-F
