RFP60N06 时间：2025/12/29 14:14:22 阅读：15

RFP60N06是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件具有低导通电阻、高电流容量和优异的热性能，适合于DC-DC转换器、开关电源、电机控制和电池管理系统等应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：60A
　　漏极-源极击穿电压（VDS）：60V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大28mΩ（在VGS=10V时）
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：TO-220、D2PAK、TO-263等

特性

RFP60N06具有多个优异的电气和热性能，使其成为高性能功率应用的理想选择。其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了效率。该MOSFET具备高电流容量，能够承受高达60A的连续漏极电流，并在短时间内承受更高的脉冲电流。此外，RFP60N06的封装设计提供了良好的散热性能，确保在高功率密度应用中保持稳定的工作温度。
　　其栅极驱动电压范围宽，支持在+10V至+20V之间工作，便于与多种驱动电路兼容。RFP60N06还具备较低的栅极电荷（Qg），有助于减少开关损耗，提高系统的整体能效。此外，该器件的热阻较低，能够在高温环境下可靠运行，适用于工业级和汽车级应用。

应用

RFP60N06适用于多种功率电子系统，包括开关电源（SMPS）、DC-DC降压/升压转换器、电机驱动器、逆变器、电池充电器和负载开关。其高电流能力和低导通电阻使其在高效率电源转换系统中表现出色，尤其是在需要高功率密度和高可靠性的场合，如工业自动化设备、电动车电池管理系统（BMS）、太阳能逆变器和不间断电源（UPS）等领域。