RFP4N40 时间：2025/8/25 4:54:35 阅读：12

RFP4N40是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）生产的N沟道功率MOSFET，广泛用于各种电源管理和开关应用。这款MOSFET采用了先进的工艺技术，具有较高的电流处理能力和较低的导通电阻。其封装形式为TO-220AB，便于在电路板上安装和散热。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：400V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　漏极电流（Id）：4.0A
　　导通电阻（Rds(on)）：1.75Ω（最大值）
　　功耗（Pd）：40W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　存储温度范围：-65°C至+175°C

特性

RFP4N40具有低导通电阻，有助于减少功率损耗并提高效率。
　　该MOSFET的高栅极击穿电压确保了在高噪声环境中工作的可靠性。
　　其TO-220AB封装提供了良好的散热性能，适合高功率应用。
　　由于其优异的热稳定性和耐用性，RFP4N40能够在严苛的工作条件下长时间运行。
　　此外，该器件具有快速开关特性，适用于高频开关电路。

应用

RFP4N40常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和电机控制器等电源管理应用。
　　它也适用于照明镇流器、电池充电器和逆变器等高电压电路。
　　在工业自动化和消费电子产品中，RFP4N40被用作高侧和低侧开关元件。
　　此外，它还可用于保护电路中的过流和过压保护功能。
　　该器件的高可靠性和耐用性使其成为汽车电子系统中电源管理模块的理想选择。