时间：2025/8/24 18:36:08
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RFP45N03 是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET，设计用于高电流、低电压应用。这款MOSFET具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，适用于需要高效功率管理的场合。其封装形式通常为TO-220或D2PAK，适合用于电源转换、电机控制和电池充电器等应用。
类型：N沟道
漏源电压(Vds)：30V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：45A
Rds(on)：40mΩ（最大值）
功率耗散(Pd)：150W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-220 / D2PAK
RFP45N03 的主要特性之一是其低导通电阻（Rds(on)），最大为40mΩ，这有助于减少导通状态下的功率损耗并提高系统效率。由于采用了先进的平面条纹和电池设计，该器件在高温下仍能保持稳定的性能。
该MOSFET具有高电流承载能力，能够连续传输高达45A的电流，适用于需要大电流的功率应用。此外，其短路耐受能力使其在过载或故障条件下具有较高的可靠性。
该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持+10V至+20V的Vgs操作，便于与多种驱动电路兼容。同时，其高雪崩能量耐受能力确保在瞬态过压条件下仍能保持稳定运行。
在封装方面，RFP45N03 采用TO-220或D2PAK封装，散热性能良好，适合在高功率密度设计中使用，例如DC-DC转换器、负载开关和电机驱动器。
RFP45N03 常用于多种功率管理应用，包括DC-DC降压和升压转换器、同步整流器、电池充电器、负载开关以及电机控制电路。其高电流能力和低导通电阻也使其成为高效电源解决方案的理想选择，例如用于服务器电源、电信设备、工业自动化系统以及电动汽车充电模块。
IRF45N03、RFP50N03、FDP45N03、Si45N03
