RFP3N50 时间：2025/12/29 14:22:29 阅读：27

RFP3N50是一款由STMicroelectronics生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于各种功率电子设备中。该器件采用了先进的技术，具有优异的导通和开关性能，适用于高频率和高效率的功率转换应用。RFP3N50的封装形式为TO-220，便于散热和安装。

参数

类型: N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(Vds): 500V
　　最大栅源电压(Vgs): ±20V
　　最大连续漏极电流(Id): 3A
　　最大功耗(Pd): 50W
　　工作温度范围: -55°C 至 150°C
　　存储温度范围: -55°C 至 150°C
　　导通电阻(Rds(on)): 2.5Ω @ Vgs = 10V
　　栅极电荷(Qg): 12nC @ Vgs = 10V
　　输入电容(Ciss): 400pF @ Vds = 25V
　　输出电容(Coss): 100pF @ Vds = 25V
　　反向恢复时间(trr): 100ns

特性

RFP3N50具有低导通电阻的特点，能够在高电流条件下保持较低的导通损耗，从而提高系统的整体效率。其高耐压能力（500V）使其适用于多种高压应用场合，如电源适配器、LED照明驱动器和工业控制系统等。
　　RFP3N50的封装形式为TO-220，这种封装设计不仅提供了良好的散热性能，还方便用户进行安装和维护。此外，该器件的栅极电荷较低，有助于减少开关过程中的能量损耗，从而进一步提高系统的效率。
　　该MOSFET的工作温度范围较宽（-55°C 至 150°C），能够在极端环境条件下稳定工作，适用于各种恶劣的工作环境。RFP3N50还具备良好的抗静电能力，能够有效防止因静电放电而引起的损坏。
　　在设计上，RFP3N50采用了先进的制造工艺和技术，确保了其在高频工作条件下的稳定性。这使得它非常适合用于高频开关电源、DC-DC转换器和其他需要快速开关的应用场景。此外，该器件的输入电容和输出电容较小，有助于降低高频工作时的寄生效应，提高系统的响应速度。
　　RFP3N50的反向恢复时间较短（100ns），这意味着它在反向恢复过程中能够迅速恢复到正常状态，减少了反向恢复过程中的能量损耗，提高了系统的可靠性。