您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > RFP2P08

RFP2P08 发布时间 时间:2025/12/29 14:17:04 查看 阅读:10

RFP2P08是一款由Renesas Electronics(瑞萨电子)生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高功率和高频率应用。这款MOSFET采用先进的沟槽式技术,以提供更高的效率和更低的导通电阻。RFP2P08专为开关电源、DC-DC转换器、电机控制和负载管理等应用设计。该器件采用TO-220封装,适合需要高可靠性和高性能的工业和消费类电子设备。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏极电流(Id):80A
  漏极-源极击穿电压(Vds):200V
  栅极-源极电压(Vgs):±20V
  导通电阻(Rds(on)):约0.028Ω(典型值)
  功率耗散(Pd):200W
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

RFP2P08具有多项高性能特性,使其适用于高功率和高效率的开关应用。首先,其低导通电阻(Rds(on))约为0.028Ω,可以显著降低导通损耗,提高系统效率。这在高电流应用中尤为重要,例如电源转换器或电机驱动器。
  其次,该MOSFET的漏极-源极击穿电压为200V,允许其在高压环境中稳定工作,适用于多种工业电源拓扑结构,如Boost、Buck和半桥式转换器。
  第三,RFP2P08的最大漏极电流可达80A,使其能够承受较大的瞬态负载,适用于需要高电流输出的应用,如电动工具、电动车辆和大功率LED驱动器。
  此外,该器件采用TO-220封装,具有良好的热性能和机械稳定性,便于散热设计。其额定功率耗散为200W,确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。
  最后,RFP2P08的栅极-源极电压范围为±20V,支持多种驱动电路设计,增强了其在不同应用场景中的兼容性。

应用

RFP2P08广泛应用于多个高性能功率电子系统中。在开关电源(SMPS)中,该MOSFET可用于主开关或同步整流器,以提高整体效率并减少发热。在DC-DC转换器中,例如Buck、Boost和Flyback拓扑,RFP2P08的低Rds(on)和高电流能力可显著提升转换效率,特别是在高负载条件下。
  此外,该器件适用于电机控制电路,如H桥驱动器,能够驱动大功率直流电机或步进电机,常见于工业自动化设备、电动工具和机器人系统中。
  在负载管理方面,RFP2P08可用于高功率负载的开关控制,如加热元件、LED照明系统以及电池充电管理电路。
  由于其高可靠性和耐久性,RFP2P08也广泛应用于消费类电子产品和工业设备中,如UPS(不间断电源)、逆变器和电动车辆的电源管理系统。

替代型号

IRF1404, STP80NF20, FDP2P08

RFP2P08推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

RFP2P08资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载