类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：180V
　　最大漏极电流（Id）：2A
　　导通电阻（Rds(on)）：约 3.5Ω（典型值）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V ~ 4V
　　最大功耗（Ptot）：50W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220

RFP2N18L 具有以下主要特性：
　　首先，它具备较低的导通电阻，这有助于降低在导通状态下的功率损耗，提高系统的整体效率。虽然其 Rds(on) 相对较高，但在低电流应用场景中仍然表现出色。
　　其次，RFP2N18L 的最大漏源电压为 180V，这使其能够适用于中高压的开关电路，例如离线式电源、AC-DC 转换器以及继电器驱动电路。
　　该器件的栅极阈值电压范围为 2V 至 4V，这意味着它可以轻松与常见的逻辑电平（如 3.3V 或 5V）控制电路兼容，从而简化了驱动电路的设计。
　　此外，RFP2N18L 采用 TO-220 封装，具备良好的散热性能，能够在较高的功率条件下稳定工作，同时便于安装在散热片上。
　　该 MOSFET 还具有较强的抗过载能力和较高的可靠性，适用于要求较高的工业和汽车电子应用环境。
　　最后，RFP2N18L 在设计上优化了开关性能，降低了开关过程中的能量损耗，从而提升了其在高频开关应用中的表现。

RFP2N18L 主要应用于以下领域：
　　在电源管理系统中，该器件可用于 DC-DC 升压/降压转换器、电池充电器以及负载开关电路，实现高效的能量转换与管理。
　　在工业控制领域，RFP2N18L 常用于电机驱动、继电器替代和固态开关，提供快速、可靠的控制功能。
　　在照明系统中，它可以作为 LED 驱动器中的开关元件，支持高亮度 LED 的调光和恒流控制。
　　由于其良好的耐压能力和热稳定性，RFP2N18L 也广泛用于家电设备（如洗衣机、电风扇）中的功率控制电路。
　　在汽车电子系统中，该 MOSFET 可用于车身控制模块、车灯驱动、车载充电系统等，满足汽车应用对可靠性和工作温度范围的严格要求。
　　此外，RFP2N18L 也可用于小型逆变器、UPS（不间断电源）系统和智能电表等电力电子设备中。

IRF540N, FQP2N18L, STP2N18L