RFP2N12L是一款高性能的N沟道功率MOSFET,广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器和其他需要高效功率切换的应用场景中。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高电流处理能力的特点,能够显著降低功率损耗并提高系统效率。
最大漏源电压:120V
最大连续漏极电流:58A
导通电阻(典型值):1.8mΩ
栅极电荷(典型值):93nC
总功耗:17W
工作结温范围:-55℃至175℃
RFP2N12L的主要特性包括以下几点:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗,从而提高整体效率。
2. 高电流承载能力,使其适用于大功率应用场合。
3. 快速开关速度,减少开关损耗并提升动态性能。
4. 良好的热稳定性,允许在较宽的温度范围内可靠运行。
5. 采用TO-247封装形式,便于散热管理并提供良好的机械强度。
6. 符合RoHS标准,确保环保与安全要求。
RFP2N12L适用于以下应用场景:
1. 开关电源中的功率转换级。
2. 直流电机驱动电路,用于精确控制电机速度和方向。
3. 太阳能逆变器中的功率调节模块。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 高效功率因数校正(PFC)电路设计。
6. 各种需要快速开关和低损耗的电力电子系统。
IRFP250N, STP55NF06L, FDP16N12