RFP15N12 时间：2025/8/25 3:57:02 阅读：7

RFP15N12是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于需要高电流和高电压能力的开关电路中。该器件采用TO-220封装，具有较低的导通电阻，适用于电源管理、电机控制、逆变器和DC-DC转换器等领域。RFP15N12以其良好的热稳定性和可靠性著称，是一款在工业和消费类电子设备中常用的功率MOSFET。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏极电流（ID）：15A
　　漏源击穿电压（VDS）：120V
　　栅源击穿电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.12Ω（最大值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-220
　　功耗（PD）：80W

特性

RFP15N12具有多项优异的电气和热性能，使其适用于各种功率应用。其低导通电阻（RDS(on)）确保在导通状态下具有较低的功率损耗，从而提高整体系统效率。此外，该器件具有高耐压能力，漏源击穿电压可达120V，适用于中高功率开关应用。
　　这款MOSFET采用TO-220封装，具有良好的散热性能，能够在高电流负载下保持稳定运行。其栅源电压容限为±20V，提供了较高的驱动灵活性和稳定性，同时降低了因栅极电压波动而导致损坏的风险。
　　RFP15N12还具有良好的热稳定性，可在高达175°C的结温下正常工作，适合在高温环境下运行。该器件的快速开关特性使其适用于高频开关电源和DC-DC转换器，有助于减小外部元件尺寸并提高系统响应速度。