时间：2025/12/29 14:12:24
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RFP15N08L 是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高效率电源转换应用，具有低导通电阻、高电流能力和良好的热稳定性。RFP15N08L 采用DPAK（TO-252）封装，适用于需要紧凑设计和高效能表现的电源系统。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：15A
漏源电压（VDS）：80V
栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大65mΩ @ VGS=10V
功率耗散（PD）：70W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
RFP15N08L 具备多个优异的电气和热性能特性，首先其低导通电阻（RDS(on)）能够有效降低导通损耗，提高电源转换效率。
其次，该器件的高电流承载能力（15A）使其适用于较高功率的开关电源、DC-DC转换器和负载开关应用。
此外，RFP15N08L 的栅极驱动电压范围较宽（通常为4.5V至20V），可兼容多种驱动电路设计，提高了其在不同应用场景下的灵活性。
封装方面，RFP15N08L 使用DPAK（TO-252）封装，具备良好的散热能力，适合表面贴装，有助于提升系统的整体可靠性和稳定性。
同时，其热阻（RθJA）较低，能够在较高环境温度下保持良好的工作状态，适用于工业级和车载电子系统等对可靠性要求较高的场景。
RFP15N08L 主要用于各种功率电子设备中，如开关电源（SMPS）、同步整流器、DC-DC转换器、电池充电器和负载开关控制等。
在汽车电子领域，该器件可应用于车载充电系统、LED照明驱动以及电机控制电路。
此外，由于其优异的热性能和电流能力，RFP15N08L 也常用于工业自动化设备、通信电源模块和消费类电子产品中的高效率电源管理系统。
IRFZ44N, FDPF15N08L, FQP15N08L
