时间：2025/12/29 14:10:59
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RFP12N20是一款N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等高功率电子系统中。该器件采用了先进的平面工艺技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和较高的耐压能力，能够在高压和高电流条件下稳定工作。RFP12N20通常采用TO-220或DPAK等封装形式，便于散热并适用于各种电路设计。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：200V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：12A
导通电阻（Rds(on)）：0.35Ω（最大）
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TO-220、DPAK
RFP12N20具有多项优良的电气特性，首先是其高耐压能力，漏源电压可达200V，使其适用于多种高压应用场景。其次，其导通电阻Rds(on)最大为0.35Ω，能够有效降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件支持高达12A的连续漏极电流，适用于中高功率的开关应用。
RFP12N20的栅极驱动电压范围为±20V，具有良好的栅极稳定性，防止因过压而导致的损坏。其工作温度范围较宽，从-55°C到+150°C，确保在各种环境条件下都能稳定运行。TO-220或DPAK封装形式不仅提供了良好的散热性能，还具备较高的机械强度和安装便利性。
该MOSFET还具备快速开关特性，具有较低的开关时间和开关损耗，适合高频开关电源和DC-DC转换器使用。同时，其内部结构优化设计，有助于减少电磁干扰（EMI）和热应力，提高系统的可靠性和稳定性。
RFP12N20主要应用于以下领域：开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池充电器、电机驱动器、负载开关、逆变器、UPS系统、工业控制设备以及各类功率管理电路。由于其高耐压和较低导通电阻的特点，特别适合需要高压、中高电流和高效率的电子系统中使用。
IRF12N20、FQP12N20、STP12N20、FDPF12N20
