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RFP-60N50TPC 发布时间 时间:2025/8/28 13:56:48 查看 阅读:4

RFP-60N50TPC 是一款由RFP(Radio Frequency Power)公司制造的高功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件,广泛应用于高功率开关、电源管理和射频(RF)功率放大器等领域。该型号为N沟道增强型MOSFET,设计用于高效能、高电压和高电流的工作环境。该器件通常采用TO-247封装形式,具有低导通电阻、高击穿电压和高可靠性等特点。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(Vds):500V
  最大漏极电流(Id):60A
  导通电阻(Rds(on)):0.18Ω(典型值)
  栅极阈值电压(Vgs(th)):2V至4V
  最大功耗(Pd):300W
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装形式:TO-247

特性

RFP-60N50TPC 具备多项优良的电气和热性能,使其适用于各种高功率应用。首先,其漏源击穿电压高达500V,可满足高电压开关电路的需求。其次,漏极电流能力为60A,结合低导通电阻(Rds(on))0.18Ω,使得导通损耗较低,从而提高整体系统的效率。此外,该MOSFET具有良好的热稳定性,TO-247封装提供了良好的散热性能,适用于连续高功率操作。该器件还具备快速开关特性,适合用于高频开关电源和DC-DC转换器。栅极阈值电压在2V至4V之间,兼容常见的驱动电路,便于集成在多种设计中。最后,RFP-60N50TPC 的工作温度范围宽广,从-55°C到+150°C,适应各种恶劣的工作环境,提升了系统的可靠性和稳定性。
  在实际应用中,该器件通常用于工业电源、电机驱动、高频逆变器以及射频功率放大器等场合。其高耐压、大电流和低导通损耗的特性,使其成为许多高功率设计中的首选器件。此外,该MOSFET的封装设计也便于安装散热片,从而进一步增强其热管理能力。

应用

RFP-60N50TPC 主要应用于需要高电压、高电流和高效能的电子系统中。例如,它常用于工业电源系统中的开关电源(SMPS)和DC-DC转换器,以实现高效的能量转换。此外,在电机控制和驱动电路中,该MOSFET可用于H桥结构以控制直流电机的正反转。在太阳能逆变器和不间断电源(UPS)系统中,RFP-60N50TPC 也常被用作主开关器件,以实现高效率的电能转换。另外,该器件还可用于射频功率放大器中,作为射频信号的功率输出级,广泛应用于无线通信和广播设备。其高耐压和大电流能力也使其适合用于高功率LED照明驱动电路和电动汽车(EV)充电系统。由于其优良的热特性和高可靠性,RFP-60N50TPC 也被广泛应用于各类工业自动化和控制设备中。

替代型号

STP60NF50, IRFP460LC, FDP60N50, FQA60N50

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