型号：RFP-10N50TVR
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：500V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：10A
　　功耗（PD）：83W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装类型：TO-220
　　导通电阻（RDS(on)）：0.6Ω（典型值）
　　输入电容（Ciss）：720pF
　　开启阈值电压（VGS(th)）：2V ~ 4V

RFP-10N50TVR 是一款性能优异的功率MOSFET器件，具有多项显著特性，适用于多种高功率应用场景。首先，其漏源电压（VDS）高达500V，能够满足高压电源系统的需求，适用于各种AC-DC转换器和高压DC-DC变换器。该器件的连续漏极电流为10A，具备良好的电流承载能力，适合中高功率的开关应用。
　　其次，RFP-10N50TVR 的导通电阻（RDS(on)）典型值为0.6Ω，较低的导通电阻可以有效降低导通损耗，提高系统效率，这对于追求高效能的电源设计尤为重要。此外，该器件的输入电容（Ciss）为720pF，有助于降低高频开关应用中的驱动损耗，提升整体系统的响应速度和稳定性。
　　在热性能方面，RFP-10N50TVR 采用TO-220封装，具有良好的散热能力，能够在高功率工作条件下保持较低的结温，从而提高器件的可靠性。其工作温度范围为-55℃至+150℃，存储温度范围也为-55℃至+150℃，适应多种严苛环境下的应用需求。同时，±20V的栅源电压允许范围使得该器件在不同的驱动电路设计中具备更高的灵活性。
　　最后，该MOSFET具备良好的抗雪崩能力和短路耐受性，增强了器件在突发故障情况下的稳定性，从而提高了系统的整体安全性。

RFP-10N50TVR 功率MOSFET广泛应用于多种电力电子设备和系统中，尤其适用于高功率和高压场合。其最常见的应用之一是开关电源（SMPS）中，作为主开关器件用于高效转换交流电或直流电。在AC-DC电源适配器、服务器电源和工业电源中，RFP-10N50TVR 能够提供稳定的高压开关性能，提升能效比。
　　此外，该器件在DC-DC转换器中也广泛应用，如升压（Boost）、降压（Buck）以及反激式转换器，用于调节电压并维持输出稳定。由于其较低的导通电阻和较高的电流承载能力，RFP-10N50TVR 在电池管理系统（BMS）、电动工具和电动车控制器中也作为功率开关使用。
　　在电机控制领域，RFP-10N50TVR 被广泛应用于H桥电路和PWM调速系统中，用于控制直流电机的正反转和速度调节。它也适用于各种LED驱动电源、充电器、逆变器和UPS（不间断电源）系统中，提供高可靠性和高效的功率控制解决方案。
　　在工业自动化和控制系统中，该MOSFET常用于继电器替代、负载开关和功率放大器电路中，实现快速、高效的功率切换。此外，在太阳能逆变器和储能系统中，RFP-10N50TVR 的高耐压和良好的热性能使其成为理想的功率开关器件。

STP10NK50Z, IRF840, FQA10N50C, 2SK2647