时间：2025/12/25 6:25:37
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RFP-100N1R5AF是一款由Renesas Electronics公司生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件采用先进的工艺制造，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，能够有效提升系统的整体效率。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：100A
漏源电压（VDS）：150V
栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：1.5mΩ（最大）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：双散热焊盘封装（例如：TO-247）
RFP-100N1R5AF具有优异的电气性能和高可靠性，其低导通电阻（RDS(on)）可以显著降低功率损耗，提高系统的能效。此外，该器件的高电流承载能力和优异的热稳定性使其在高功率应用中表现出色。
为了确保在高频率开关应用中的稳定性，RFP-100N1R5AF具有较低的输入和输出电容，减少了开关损耗。该MOSFET还具备较高的雪崩能量耐受能力，能够在极端条件下提供可靠的保护。
在封装方面，RFP-100N1R5AF采用了双散热焊盘设计，提高了散热效率，确保在高负载情况下仍能保持较低的工作温度。这种封装方式也有助于简化PCB布局并提高机械强度。
RFP-100N1R5AF广泛应用于各种高功率电子设备中，包括电源供应器、DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统以及工业自动化设备。此外，它也适用于新能源领域，如太阳能逆变器和电动汽车的充电模块。
SiHF100N1R5F, IRFP100N15D3PBF
