时间：2025/7/17 20:20:24
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RFP-100200A25Z50 是一款由 RF Micro Devices（现为 Qorvo）制造的射频功率晶体管，采用 GaN（氮化镓）技术，适用于高频率和高功率的应用。该器件设计用于在 250 MHz 至 2.5 GHz 的频率范围内工作，具备高效率、高线性度和高可靠性等特性，常用于通信基站、雷达系统、测试设备以及其他需要高射频输出功率的场合。
类型：GaN 射频功率晶体管
频率范围：250 MHz - 2.5 GHz
输出功率：典型值 100 W（连续波）
增益：约 20 dB
漏极效率：大于 60%
输入阻抗：50 Ω
封装形式：陶瓷金属封装（Metallic Ceramic）
RFP-100200A25Z50 具有出色的电气性能和热稳定性。其基于 GaN 技术的设计使其能够在较高的频率下提供高输出功率，并具有优异的热导性能，确保在高负载条件下稳定运行。
此外，该器件具有良好的线性度，能够减少信号失真，适用于要求严格的通信应用。它的高效率表现降低了功耗并减少了散热需求，从而提高了系统的整体能效。
RFP-100200A25Z50 还具备出色的耐用性和长寿命，可在恶劣环境下可靠运行。其封装设计不仅提供了优良的机械强度，还优化了射频连接性能，确保最小的插入损耗和反射损耗。
最后，该器件符合 RoHS 标准，适合现代绿色电子产品的使用要求。
RFP-100200A25Z50 主要应用于无线通信基础设施，如蜂窝网络基站中的功率放大器模块；同时也在军事和航空航天领域中用作雷达发射机和电子战系统的关键组件；此外，它还可用于工业和科学领域的高频测试仪器、医疗成像设备以及广播发射设备等场景。
RFP-100200A25H50, RFP-200200A25Z50
