类型：射频功率晶体管
　　材料：GaAs
　　频率范围：2 GHz 至 2.7 GHz
　　输出功率：35 W（典型值）
　　增益：12 dB（典型值）
　　效率：40% 以上
　　工作电压：28 V
　　封装类型：气密封装
　　阻抗：50Ω
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

RFMT-35H 是一款专为高功率射频放大需求设计的晶体管，其采用的 GaAs 技术确保了在高频下的高性能表现。这款晶体管在 2 GHz 至 2.7 GHz 的频率范围内提供高达 35 W 的输出功率，非常适合用于蜂窝通信系统中的基站放大器和其他高功率射频设备。该器件的高增益和高效率特性使其在复杂的工作条件下仍能保持稳定的性能。
　　RFMT-35H 在设计上优化了线性度和失真性能，使其适用于需要高信号完整性的应用，如数字通信系统。此外，该晶体管具备出色的散热性能，能够在较高工作温度下可靠运行，确保长时间使用的稳定性。气密封装的设计进一步提升了其环境适应能力，使其能够在严苛的工业环境中使用。
　　器件的典型应用包括 2G、3G 和 4G 基站、广播设备、测试仪器和工业射频设备。RFMT-35H 提供了灵活的偏置选项，允许用户根据具体应用需求调整工作点，以优化性能。同时，该器件的输入和输出端口设计为 50Ω 阻抗匹配，简化了与外部电路的集成。

RFMT-35H 主要用于蜂窝基站系统，包括 2G、3G 和 4G 网络的功率放大器模块。它也广泛应用于广播设备，如 FM 和 TV 发射机，以及工业射频加热和测试设备。由于其高效率和高稳定性，该晶体管也适用于远程无线通信系统和军用通信设备。此外，RFMT-35H 还可用于宽带无线接入系统和射频测试仪器中，作为高功率放大单元的核心组件。

RFMT-45H, RFM2043, RFM2053