时间：2025/8/15 9:04:25
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RFHA3832TR13 是一款由 Renesas Electronics（瑞萨电子）制造的射频（RF）功率晶体管，采用 GaN（氮化镓）技术制造，适用于高频和高功率应用。该器件采用小型封装，适合在需要高效能和高可靠性的通信系统中使用。
类型：GaN射频功率晶体管
频率范围：2.3 GHz - 2.7 GHz
输出功率：32 W（典型值）
增益：18 dB（典型值）
效率：60%（典型值）
封装类型：表面贴装（SMD）
工作温度范围：-40°C 至 +150°C
RFHA3832TR13 具有宽频率范围，适用于2.3 GHz到2.7 GHz之间的多种射频应用。其高输出功率能力使其非常适合用于基站、无线基础设施和工业设备。此外，该晶体管具有高增益和高效率，能够有效减少热量产生并提高整体系统性能。该器件采用了先进的 GaN 技术，具有良好的热稳定性和高功率密度。其表面贴装封装设计有助于简化 PCB 布局并提高生产效率。
这款晶体管还具有良好的线性度和稳定性，能够在复杂的工作环境中保持一致的性能。它适用于各种通信标准，包括 LTE、WiMAX 和其他宽带应用。RFHA3832TR13 的耐用性和高可靠性使其成为需要长时间运行的系统中的理想选择。
该器件主要用于无线通信基础设施，如蜂窝基站、微波通信、测试设备和工业射频设备中。它也适用于需要高功率输出和高效率的雷达和广播系统。
CGH40030, GAN040SC1A
