RFH75N05E 时间：2025/8/24 22:27:54 阅读：7

RFH75N05E 是一款由 Infineon Technologies（英飞凌）推出的高性能功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要面向高效率、高功率密度的电源管理系统。该器件采用先进的技术，具备低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，适用于各种工业和消费类应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：50V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：75A
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　导通电阻（Rds(on)）：最大值 2.7mΩ（典型值 2.3mΩ）
　　封装类型：TO-263（表面贴装）

特性

RFH75N05E 的主要特性之一是其超低导通电阻，有助于降低功率损耗，提高系统效率。此外，该器件采用先进的封装技术，提供良好的散热性能，适用于高功率密度设计。
　　其高栅极电压容限（±20V）使其适用于各种驱动电路，并提高了可靠性。此外，该MOSFET具有快速开关特性，适用于高频应用，如DC-DC转换器和同步整流器。
　　该器件的工作温度范围广泛（-55°C 至 175°C），适合在严苛的环境条件下工作。此外，RFH75N05E 还具备出色的抗雪崩能力和高耐用性，确保在极端负载条件下的稳定运行。