时间：2025/12/29 14:48:06
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RFG60P03 是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）生产的N沟道增强型功率MOSFET，适用于高频率和高效率的开关应用。该器件采用先进的工艺技术，具有低导通电阻（Rds(on)）、高功率密度和良好的热稳定性，适用于DC-DC转换器、同步整流、电源管理和负载开关等应用场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：60A（在Tc=25℃时）
导通电阻（Rds(on)）：最大为3.2mΩ（在Vgs=10V时）
功耗（Pd）：175W
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
封装形式：D2PAK（TO-263）
RFG60P03 MOSFET采用了先进的沟槽式功率MOSFET技术，具有极低的导通电阻，这有助于减少导通损耗并提高系统效率。其高电流容量和低Rds(on)特性使其在高负载条件下依然能保持较低的温升，从而提高系统的稳定性和可靠性。
该器件支持高频率开关操作，适用于高频DC-DC转换器和同步整流器等应用。此外，其封装设计具有良好的热管理能力，能够有效散热，适应高温工作环境。
RFG60P03还具备较高的抗雪崩能力和抗短路能力，增强了器件在极端条件下的耐用性。其栅极结构设计优化了开关性能，降低了开关损耗，并提高了器件的动态响应能力。
RFG60P03广泛应用于各种电源管理系统，包括DC-DC转换器、负载开关、同步整流器、电池管理系统、服务器电源、工业电源、电信设备电源以及高功率便携设备电源等。其高效能和高可靠性的特性使其成为现代高功率密度电源设计中的理想选择。
SiR662DP、IRF6717、FDS6680、NTMFS4C03NT1G、RFG60P03L
