类型：LDMOS射频功率晶体管
　　最大漏极电流（ID(max)）：180 A
　　最大漏极电压（VD(max)）：65 V
　　工作频率范围：1.8 MHz - 100 MHz
　　最大输出功率：超过1200 W（在典型应用条件下）
　　增益：约20 dB
　　封装类型：全铜封装，具有良好的散热性能
　　热阻（Rth(j-c)）：约0.15 °C/W
　　工作温度范围：-65°C 至 +150°C

RFG1M20180SB的主要特性之一是其卓越的热管理能力，这得益于其先进的LDMOS结构和高效的全铜封装设计。这种设计使得器件能够在高功率条件下保持稳定的工作温度，从而提高整体系统可靠性和寿命。
　　此外，该晶体管具有宽频率响应范围（1.8 MHz至100 MHz），使其适用于多种射频应用，包括AM/FM广播发射机、工业加热设备和医疗射频治疗系统。
　　RFG1M20180SB的高增益特性（约20 dB）使其在放大器设计中具有较高的信号放大能力，从而减少系统所需的级联放大器数量，降低整体设计复杂性和成本。
　　该器件还具有良好的线性度和效率，适用于高效率功率放大器（如D类、E类放大器）的设计，能够满足现代射频系统对高能效和低失真的要求。
　　在封装方面，RFG1M20180SB采用大功率全铜封装，具有优异的散热性能，确保在极端工作条件下仍能保持稳定运行。

RFG1M20180SB广泛应用于高功率射频放大器系统，包括广播发射机（如AM/FM无线电广播）、工业加热设备（如射频感应加热系统）、医疗设备（如射频消融治疗设备）以及通信基础设施（如基站和中继器）中的射频功率放大器部分。
　　此外，该晶体管也适用于测试设备和测量仪器中的射频信号放大模块，提供高稳定性和高精度的信号放大功能。
　　由于其高可靠性和宽频率响应特性，RFG1M20180SB也被用于科研和实验室环境中，作为高功率射频源的核心组件。

RFG1M20180SB的替代型号包括RFG1M20180S和RFG1M20180S-B。