频段支持：Band 41（2496 – 2690 MHz）
　　输出功率：典型值 +28 dBm
　　增益：典型值 31 dB
　　工作电压：3.3 V 和 3.8 V
　　封装类型：12引脚 QFN
　　接口类型：MIPI
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

RFFM4227SB 模块采用了先进的 GaAs（砷化镓）工艺技术，具备高效的射频信号处理能力。
　　该模块内部集成了多个关键组件，包括高线性度的功率放大器（PA）、低噪声放大器（LNA）以及射频开关，从而减少了外部电路的复杂性并节省了 PCB 空间。
　　其支持的频段 Band 41（2496 – 2690 MHz）非常适合用于 5G NR 和 LTE-A 通信系统。
　　模块设计注重低功耗和高效率，适合移动设备和基站等应用场合。
　　RFFM4227SB 还支持 MIPI 接口，便于与数字基带处理器进行通信和控制，提高了系统的灵活性和可编程性。
　　该模块具备良好的热管理和射频隔离性能，确保在高功率工作条件下仍能保持稳定和可靠的操作。

RFFM4227SB 主要应用于支持 Band 41 的 LTE 和 5G 通信设备，包括智能手机、平板电脑、移动热点、CPE（客户终端设备）以及小型基站等。
　　由于其集成度高、性能优异，该模块也非常适合用于工业通信、物联网（IoT）设备以及远程监控系统等需要高性能射频前端解决方案的场景。
　　在基站应用中，RFFM4227SB 可用于增强上行链路和下行链路的信号质量，提高通信距离和数据传输速率。
　　此外，该模块还可用于测试设备和射频测量仪器，作为高精度射频信号处理的核心组件。

RFFM4226, RFFM4228, RF5525