类型：GaAs HEMT RF FET
　　漏极电流（ID）：500 mA（典型）
　　漏-源电压（VDS）：28 V
　　频率范围：DC 至 4 GHz
　　输出功率：典型 5 W（在 2.1 GHz 下）
　　功率增益：典型 14 dB（在 2.1 GHz 下）
　　效率：典型 40%（在 2.1 GHz 下）
　　封装类型：表面贴装，SOT-89

RFDA4005TR13 是一款高性能射频功率晶体管，采用了先进的 GaAs HEMT 技术，具有高功率密度和高可靠性。该器件在高频范围内表现出色，支持从直流到 4 GHz 的宽频带操作，使其适用于多种无线通信应用。其高增益特性（典型 14 dB）和良好的效率（典型 40%）有助于减少外部驱动电路的复杂性，提高整体系统效率。
　　该晶体管的典型输出功率为 5W，在 2.1 GHz 频率下表现出色，非常适合用于 3G/4G 基站、射频测试设备、无线本地环路（WLL）系统以及工业和医疗射频设备。此外，SOT-89 封装提供了良好的热管理和机械稳定性，便于在高功率应用中进行散热设计。
　　RFDA4005TR13 还具有良好的线性度和稳定性，能够在高功率水平下保持信号的完整性，适用于对信号质量要求较高的通信系统。同时，其偏置电压为 28V，与许多现有射频放大器电源设计兼容，简化了系统集成。

RFDA4005TR13 主要应用于无线通信基础设施，如蜂窝基站（3G/4G）、射频测试设备、无线本地环路系统、工业和医疗射频设备以及各种宽带射频功率放大器模块。由于其优异的高频性能和高可靠性，它也被广泛用于军用和工业通信设备中。

RFDA4003TR13, RFDA4007TR13