RFDA0016SR 时间：2025/8/15 22:00:13 阅读：8

RFDA0016SR 是一款由 Renesas Electronics（瑞萨电子）推出的射频功率放大器（PA）芯片，专为高性能无线通信应用而设计。该芯片采用先进的 GaN（氮化镓）技术，具有高输出功率、高效率和高线性度的特点，适用于 5G 通信、WiMAX、LTE 以及其他宽带无线基础设施应用。

参数

频率范围：2.3 GHz - 3.8 GHz
　　输出功率：16 W（典型值）
　　增益：10 dB（典型值）
　　效率：40%（典型值）
　　工作电压：28 V
　　输入阻抗：50 Ω
　　输出阻抗：50 Ω
　　封装类型：表面贴装（SMD）
　　封装尺寸：12.7 mm x 12.7 mm
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

特性

RFDA0016SR 采用 GaN 技术，使其在高频段具有优异的性能表现。该芯片的高输出功率和高效率特性，使其在 5G 基站、WiMAX 和 LTE 基础设施中表现出色。其高线性度确保了信号的完整性，减少了失真和干扰。
　　此外，RFDA0016SR 的封装设计紧凑，便于集成到现代通信设备中，同时具备良好的散热性能，确保在高功率运行时的稳定性。其宽频率范围（2.3 GHz - 3.8 GHz）使得它能够支持多种无线通信标准，提高了其应用的灵活性。
　　芯片的输入和输出阻抗均为 50 Ω，便于与射频前端模块和其他组件进行匹配，减少了额外的匹配电路需求。其表面贴装封装（SMD）设计支持自动化生产和高密度 PCB 布局，降低了制造成本并提高了生产效率。
　　该芯片还具备良好的温度稳定性，能够在 -40°C 至 +85°C 的工作温度范围内稳定运行，适应各种严苛的环境条件。