类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：50V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：16A（在TC=25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：13mΩ（典型值，VGS=10V）
　　功耗（PD）：40W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装：PowerFLAT 5x6 mm

RFD16N05LSM9ACT MOSFET具有多项优异特性，确保其在各类电源管理系统中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。在VGS=10V时，RDS(on)仅为13mΩ，这使得该器件在高电流应用中也能保持较低的功率损耗。
　　其次，该MOSFET具备较高的耐压能力，漏源电压最大可达50V，适用于多种中压功率转换场景。此外，其栅极驱动电压范围宽广，支持±20V，使其兼容多种驱动电路设计。
　　该器件的封装形式为PowerFLAT 5x6 mm，具有良好的热管理性能，能够有效散热并适应高功率密度设计。其封装还支持双面散热，有助于提升整体热性能。
　　此外，RFD16N05LSM9ACT具备良好的抗雪崩能力和短路耐受性，确保在恶劣工况下仍能稳定运行。其工作温度范围为-55°C至150°C，适用于工业级和汽车电子应用环境。
　　该MOSFET还具有快速开关特性，减少开关损耗，适用于高频PWM控制电路。其封装符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适用于现代绿色电子产品制造。

RFD16N05LSM9ACT MOSFET广泛应用于各类电源管理系统和功率电子设备中。常见应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关和电源管理模块。在服务器电源、笔记本电脑适配器、便携式充电设备和LED照明驱动电路中，该器件能够提供高效的功率转换性能。
　　此外，该MOSFET也适用于电机控制、电池管理系统（BMS）和智能功率开关等应用场景。在工业自动化设备、机器人控制和智能家电中，RFD16N05LSM9ACT可用于实现高效、紧凑的功率控制电路。
　　由于其良好的热稳定性和可靠性，该器件也常用于汽车电子系统，如车载充电器、车身控制模块和电动助力转向系统。其封装形式支持表面贴装工艺，便于自动化生产与高密度PCB布局。

RFD16N05LSM9ACT的替代型号包括STD16N05DH5AG、FDMS86180、SiSS16N50CD、IRF16N50LPBF