时间：2025/8/25 7:31:37
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RFD15N06是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于电源管理和功率开关应用。该器件由Renesas（瑞萨电子）制造，具有低导通电阻、高耐压能力和良好的热稳定性，适用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及工业控制等场景。RFD15N06采用TO-252（DPAK）封装，适合表面贴装工艺，具备较高的可靠性和广泛的应用兼容性。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：60V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：15A（Tc=25℃）
脉冲漏极电流（IDM）：60A
导通电阻（RDS(on)）：50mΩ（典型值）
功耗（PD）：80W
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装：TO-252（DPAK）
RFD15N06的主要特性包括其低导通电阻（RDS(on)）设计，使得在导通状态下功率损耗显著降低，从而提高系统效率并减少散热需求。其60V的漏源耐压能力使其适用于中高功率的电源转换应用。该器件的栅极驱动电压兼容标准逻辑电平（通常为4.5V至10V），便于与多种驱动电路配合使用。
此外，RFD15N06采用了先进的沟槽栅技术，提高了电流处理能力和开关性能。它具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过压条件下保持稳定运行。TO-252封装形式不仅节省空间，还具备良好的热管理能力，确保在高电流工作时的可靠性。
由于其高可靠性和优良的电气性能，RFD15N06广泛应用于工业电源、电动工具、电池管理系统、汽车电子以及家用电器中的功率控制模块。
RFD15N06适用于多种功率电子系统，包括但不限于：DC-DC降压/升压转换器、同步整流电路、负载开关控制、电机驱动器、电池充电管理系统、工业自动化设备、LED照明驱动以及家用电器中的功率控制模块。由于其良好的热性能和高电流能力，该器件特别适合需要高效率和紧凑设计的电源应用。
IRFZ44N, FDPF15N06L, STP15NF06L, FQA15N60C
