RFD14N05LSM是一款基于沟槽技术的N沟道增强型功率MOSFET。它具有低导通电阻、快速开关速度和高雪崩能力等特点,适用于各种需要高效能和高可靠性的应用场合。该器件采用LFPAK56封装形式,具备出色的散热性能和紧凑的设计,使其非常适合空间受限的应用环境。
此型号主要面向消费电子、工业设备以及汽车电子等领域,可广泛用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电池保护电路等场景。
最大漏源电压:50V
连续漏极电流:28A
导通电阻(典型值):3.7mΩ
栅极电荷:17nC
反向恢复时间:无(由于是MOSFET,不存在反向恢复问题)
工作温度范围:-55℃至175℃
RFD14N05LSM采用先进的沟槽式MOSFET结构,具备以下显著特点:
1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 快速开关性能,降低开关损耗,特别适合高频应用。
3. 高雪崩击穿能量能力,增强了器件在异常情况下的耐用性。
4. 良好的热稳定性,能够承受极端温度条件。
5. 小尺寸LFPAK56封装,节省PCB面积同时保持良好的散热表现。
这款MOSFET广泛应用于多个领域,具体包括:
1. 开关电源中的同步整流。
2. 电动工具及家用电器中的电机控制。
3. 汽车电子系统中的负载切换与保护功能。
4. 笔记本电脑及其他便携式设备内的负载管理电路。
5. 多种电池管理系统以确保安全充电和放电过程。
RFP12N10L, IRF7832TRPBF, FDS8935