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RFD14N05LSM 发布时间 时间:2025/6/6 10:29:57 查看 阅读:4

RFD14N05LSM是一款基于沟槽技术的N沟道增强型功率MOSFET。它具有低导通电阻、快速开关速度和高雪崩能力等特点,适用于各种需要高效能和高可靠性的应用场合。该器件采用LFPAK56封装形式,具备出色的散热性能和紧凑的设计,使其非常适合空间受限的应用环境。
  此型号主要面向消费电子、工业设备以及汽车电子等领域,可广泛用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电池保护电路等场景。

参数

最大漏源电压:50V
  连续漏极电流:28A
  导通电阻(典型值):3.7mΩ
  栅极电荷:17nC
  反向恢复时间:无(由于是MOSFET,不存在反向恢复问题)
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

RFD14N05LSM采用先进的沟槽式MOSFET结构,具备以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗并提高系统效率。
  2. 快速开关性能,降低开关损耗,特别适合高频应用。
  3. 高雪崩击穿能量能力,增强了器件在异常情况下的耐用性。
  4. 良好的热稳定性,能够承受极端温度条件。
  5. 小尺寸LFPAK56封装,节省PCB面积同时保持良好的散热表现。

应用

这款MOSFET广泛应用于多个领域,具体包括:
  1. 开关电源中的同步整流。
  2. 电动工具及家用电器中的电机控制。
  3. 汽车电子系统中的负载切换与保护功能。
  4. 笔记本电脑及其他便携式设备内的负载管理电路。
  5. 多种电池管理系统以确保安全充电和放电过程。

替代型号

RFP12N10L, IRF7832TRPBF, FDS8935

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RFD14N05LSM参数

  • 产品培训模块High Voltage Switches for Power ProcessingSMPS Power Switch
  • 标准包装75
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)50V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C14A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C100 毫欧 @ 14A,5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs40nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds670pF @ 25V
  • 功率 - 最大48W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装TO-252AA
  • 包装管件