制造商：Qorvo (原 RF Micro Devices)
　　产品系列：RFPB
　　零件编号：RFBPB2012090AMXT61
　　封装类型：WLCSP（晶圆级芯片尺寸封装）
　　工作频率范围：1.7 GHz 至 2.7 GHz
　　增益（典型值）：30 dB（发射路径）；18 dB（接收路径）
　　输出功率（Pout）：+28 dBm（最大连续波输出）
　　电源电压（Vcc）：3.0 V 至 4.2 V
　　静态电流（IQ）：< 5 mA（待机模式）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　输入/输出阻抗：50 Ω
　　调制标准支持：LTE-FDD、LTE-TDD、5G NR FR1、WCDMA、HSPA+
　　二次谐波抑制：> 45 dBc
　　邻道泄漏比（ACLR）：≤ -38 dBc @ LTE 5 MHz 满功率
　　噪声系数（NF）：< 1.2 dB（接收链路）
　　集成组件：功率放大器、低噪声放大器、Tx/Rx 开关、定向耦合器、ESD 保护电路

RFBPB2012090AMXT61的发射链路采用了高效的多级功率放大器架构，能够在宽频带内提供高增益和高输出功率，同时保持出色的能效。该功率放大器基于先进的GaAs HBT（砷化镓异质结双极晶体管）工艺制造，具有优异的高频响应特性和良好的热稳定性。在高输出功率下，其电流消耗经过优化，有助于延长电池供电设备的续航时间。放大器还支持数字功率控制接口，可通过外部基带控制器实现精确的输出功率调节，以满足不同通信标准下的动态范围需求。
　　接收链路部分集成了低噪声放大器（LNA）与可切换滤波网络，确保在复杂电磁环境中仍能维持高灵敏度和强抗干扰能力。LNA具备低噪声系数（通常低于1.2 dB），可显著提升接收信号的信噪比，尤其适用于弱信号条件下的数据解调。此外，LNA输入端配有片上匹配网络，减少了外围元件数量，简化了PCB布局设计。整个接收路径支持宽带操作，并通过内部开关矩阵实现多频段选择，提高了系统的灵活性。
　　模块内部集成了高性能的射频开关，采用SOI（绝缘体上硅）技术，具备低插入损耗和高隔离度的特点。这些开关用于实现发射与接收之间的快速切换，适用于TDD系统中的时隙切换需求。同时，开关具有出色的线性性能，能够承受高功率信号而不产生明显失真，保障了全双工或半双工通信的稳定性。
　　该器件还集成了定向耦合器和功率检测电路，可用于实时监测发射功率并反馈给主控芯片，实现闭环功率控制。这种集成化设计不仅节省了空间，也提升了射频校准的精度和一致性。此外，模块内置完整的ESD保护结构，符合IEC 61000-4-2 Level 4标准，增强了产品在实际使用中的鲁棒性。

RFBPB2012090AMXT61广泛应用于需要高性能射频前端解决方案的现代无线通信设备中。其主要应用场景包括支持多模多频的智能手机和平板电脑，特别是在LTE Advanced Pro和早期5G NR部署中作为主集或分集天线的射频前端模块使用。由于其宽频带覆盖能力和高集成度，该芯片非常适合用于全球漫游设备的设计，能够兼容北美、欧洲、亚洲等多个地区的主流蜂窝频段，例如Band 3、Band 7、Band 8、Band 20、Band 25、Band 30、Band 66等。
　　在物联网领域，该模块可用于工业级无线终端、远程监控设备、车联网（V2X）通信单元以及固定无线接入（FWA）设备，提供稳定可靠的高速数据连接。其紧凑的封装形式特别适合空间受限的应用场景，而低功耗特性则有利于延长电池寿命，适用于长期部署的无线传感器节点。
　　此外，RFBPB2012090AMXT61也可用于小型基站（Small Cell）、家庭网关、无线路由器等基础设施设备中，作为用户终端侧的关键射频组件。在测试与测量仪器中，该芯片可用于构建高性能射频收发子系统，用于协议一致性测试、信道仿真或现场勘测。
　　得益于其良好的温度适应性和内置保护机制，该器件同样适用于恶劣环境下的通信设备，如车载通信系统、铁路通信终端和户外无线热点。总体而言，RFBPB2012090AMXT61凭借其高集成度、高可靠性和优异的射频性能，成为现代蜂窝通信系统中不可或缺的核心元器件之一。

RFPB2012090AMXS61
　　RFBPB2012090AMXS61
　　Qorvo QM18000