型号：RFB0807-562L
　　阻值：5.6kΩ
　　阻值公差：±1%
　　额定功率：0.1W (100mW)
　　温度系数：±50ppm/℃
　　工作温度范围：-55℃ ~ +155℃
　　封装尺寸：0807（约2.0mm × 1.8mm）
　　端接类型：表面贴装（SMD）
　　基板材料：氧化铝陶瓷（Al2O3）
　　电阻材料：薄膜镍铬（NiCr）
　　频率范围：DC ~ 10GHz
　　寄生电感：<0.2nH
　　寄生电容：<0.05pF
　　绝缘电阻：>1GΩ

RFB0807-562L具备卓越的高频性能表现，这得益于其采用的精密薄膜电阻技术。在射频和微波应用中，传统厚膜电阻往往因较高的寄生参数而导致信号失真或相位偏移，而本产品通过在高纯度氧化铝陶瓷基板上溅射沉积镍铬合金薄膜，并经过激光调阻工艺实现精确阻值控制，显著降低了等效串联电感（ESL）和并联电容（EPC），使其在高达10GHz的频率下仍能保持接近理想电阻的阻抗特性。这种低寄生效应对于高速差分信号路径、宽带放大器反馈网络以及VCO调谐电路尤为重要。
　　此外，该器件具有出色的温度稳定性和长期老化特性，温度系数仅为±50ppm/℃，意味着在极端温变环境下阻值漂移极小，保障系统校准精度不受影响。其工作温度范围覆盖-55℃至+155℃，满足军用级和工业级应用需求。器件还具备优良的耐湿性和抗机械应力能力，经过严格的湿度寿命测试和热循环试验验证，确保在高湿、高温交替环境中仍能稳定运行。
　　结构方面，RFB0807-562L采用对称端子设计，有助于减少不对称引入的电磁干扰，并提升共模抑制比。其0807封装尺寸在保持足够散热面积的同时实现了小型化，适用于紧凑型毫米波模块集成。所有金属化层均采用可焊性良好的镀层处理，兼容无铅回流焊工艺，符合RoHS环保标准。整体设计兼顾电气性能、可靠性与可制造性，使其成为高端射频系统的优选无源元件。

RFB0807-562L主要应用于高频、高稳定性的电子系统中，尤其是在射频前端模块、微波收发器和精密测量设备中发挥关键作用。典型应用场景包括但不限于：无线通信基站中的功率放大器偏置网络，用于提供稳定的静态工作点；相控阵雷达系统的馈电网络，作为阻抗匹配元件以最小化信号反射；测试与测量仪器如矢量网络分析仪（VNA）内部的校准负载和参考电阻，确保测量结果的准确性；以及卫星通信终端中的滤波器终端电阻，防止驻波形成。
　　在5G毫米波基础设施中，该电阻常用于39GHz或60GHz频段的前端IC周边电路，承担信号衰减、直流偏置隔离和AC耦合路径中的阻抗设定功能。由于其宽频响应特性，也可用于超宽带（UWB）定位系统中的脉冲整形网络，帮助维持纳秒级脉冲的上升沿完整性。在医疗成像设备如MRI射频线圈驱动电路中，RFB0807-562L可用于构建低噪声前置放大器的反馈环路，提升信噪比。
　　此外，在航空航天和国防领域，该器件被广泛用于机载通信系统、电子对抗（ECM）装置和无人机遥控链路模块中，凭借其高可靠性与宽温适应能力，能够在剧烈振动和温度骤变条件下持续稳定工作。科研实验室中也常用此类高精度薄膜电阻搭建高频实验电路原型，作为基准元件进行理论验证和性能测试。

RFB0807-562K
　　ERJ-8BW5621V
　　RT0807BRD07562RL