RF83C 时间：2025/12/29 14:39:27 阅读：16

RF83C 是一款高频、低噪声、双极型晶体管（BJT），常用于射频（RF）和微波放大器应用中。这款晶体管由Renesas Electronics生产，设计用于高频率范围内的信号放大，通常适用于通信设备、测试仪器和无线基础设施等。RF83C 的主要特点包括高增益、低噪声系数以及良好的线性性能，适合在需要高信号完整性的应用中使用。

参数

晶体管类型：NPN 双极型晶体管
　　最大频率（fT）：250 MHz
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：30 V
　　最大集电极电流（IC）：150 mA
　　最小/典型噪声系数：0.7 dB（在1 GHz）
　　增益（hFE）：60 - 300（根据工作电流不同）
　　封装类型：TO-92 或 SOT-23（根据具体版本）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

特性

RF83C 是一款专门针对射频应用优化的晶体管，具有出色的高频性能和低噪声特性。其250 MHz的过渡频率（fT）使其适用于VHF和UHF频段的信号放大。此外，该器件的噪声系数在1 GHz下可低至0.7 dB，适合用于前端低噪声放大器（LNA）设计。RF83C的增益范围为60至300，具体取决于偏置电流，在不同的应用条件下可灵活调整。其封装形式包括TO-92和SOT-23，便于在不同的PCB布局中使用，满足高密度和高性能要求。
　　该晶体管的线性度良好，适合用于模拟信号放大，尤其是在无线通信系统中，如FM接收器、无线数据传输设备和射频测试仪器。其工作温度范围广泛，从-55°C至+150°C，确保了在极端环境下的稳定运行。

应用

RF83C 主要用于射频和微波电路中的信号放大。常见应用包括无线通信系统中的低噪声放大器（LNA）、中继器、FM接收器、测试与测量设备以及无线基础设施。此外，它也常用于射频功率放大器的前置放大阶段，以提高系统的整体信号灵敏度和信噪比。由于其高频特性，该晶体管还可用于射频识别（RFID）设备、无线传感器网络和微波通信设备。