类型：射频功率晶体管
　　晶体管类型：LDMOS
　　最大漏极电流：50A
　　最大工作电压：32V
　　频率范围：850MHz - 950MHz
　　输出功率：50W
　　封装类型：表面贴装（Surface Mount）
　　封装形式：T-Style（TR13）
　　输入阻抗：50Ω
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　热阻（结至壳）：0.35°C/W
　　增益：27dB
　　效率：65% 典型值

RF7459TR13N 的核心特性之一是其基于LDMOS技术的高效率设计，这使得它在高频段工作时依然能够保持出色的能效比。该器件的典型增益为27dB，能够在850MHz至950MHz的频率范围内提供稳定的50W输出功率。其高效率（典型值为65%）使得该晶体管在无线基站、广播设备等高功率需求的应用中表现出色。此外，该器件具有良好的热稳定性，其热阻（结至壳）为0.35°C/W，有助于快速散热，从而提高长期运行的可靠性和稳定性。
　　RF7459TR13N 采用表面贴装的T-Style（TR13）封装，这种封装方式不仅有助于提高器件的机械稳定性，还能优化热管理和射频性能。输入阻抗为50Ω，使其能够直接与大多数射频系统匹配，减少了额外的匹配电路需求。该器件的工作温度范围为-40°C至+150°C，适合在各种环境条件下运行，包括高温工业环境。此外，该晶体管的存储温度范围也较宽，从-65°C到+150°C，确保了在不同存储条件下的安全性。
　　另一个重要特性是其高最大漏极电流（50A）和最大工作电压（32V），这些参数使其能够在高功率环境下稳定运行，并承受一定的过载情况。RF7459TR13N 在设计上考虑了长期运行的可靠性，适用于要求高稳定性和高性能的射频放大器系统。

RF7459TR13N 主要应用于高功率射频放大器系统，特别是在无线通信基础设施中，如蜂窝基站、广播设备和工业测试仪器。该器件特别适用于工作在850MHz至950MHz频段的系统，例如GSM、CDMA和LTE通信系统。由于其高效率和高输出功率特性，RF7459TR13N 常用于基站发射器的最终功率放大阶段，以确保信号在长距离传输时保持高质量。此外，该晶体管也可用于广播发射机，提供高保真的音频信号放大。在工业测试设备中，它可作为高功率射频信号源，支持各种射频测试和测量应用。

RF7449TR13N、RF7458TR13N