RF7413TR7 时间：2025/8/16 4:29:53 阅读：10

RF7413TR7 是一款由 RF Micro Devices（现为 Qorvo）生产的高频率射频（RF）晶体管，主要用于射频功率放大器和其他射频电路应用。这款晶体管基于砷化镓（GaAs）技术，适用于无线通信系统中的高频信号放大。其封装形式为 SOT-89，便于在射频模块和无线设备中进行集成。

参数

晶体管类型：GaAs FET
　　工作频率：最高可达 4 GHz
　　漏极电流（ID）：最大 120 mA
　　漏源电压（VDS）：最大 10 V
　　栅源电压（VGS）：-1 V 至 +1 V
　　增益：17 dB（典型值）
　　输出功率：28 dBm（典型值）
　　封装类型：SOT-89

特性

RF7413TR7 具有出色的射频性能和稳定性，适合用于各种高频应用。该晶体管基于 GaAs 技术，具有高频响应和低噪声特性，能够在高达 4 GHz 的频率范围内高效工作。其典型的 17 dB 增益和 28 dBm 输出功率使其成为射频功率放大器的理想选择。此外，RF7413TR7 的 SOT-89 封装提供了良好的热管理和小型化设计，便于集成到紧凑的射频电路中。
　　该器件在设计上优化了线性度和效率，能够在较宽的温度范围内保持稳定的工作性能。其漏极电流最大为 120 mA，漏源电压最大为 10 V，适用于低电压供电系统，提高了设计的灵活性。RF7413TR7 还具有良好的抗干扰能力和可靠性，适合在各种无线通信系统中使用。

应用

RF7413TR7 主要用于射频功率放大器、无线通信系统、Wi-Fi 模块、射频测试设备和射频前端模块等应用。由于其高频特性和高增益，该器件特别适用于 2.4 GHz 和 5 GHz 频段的无线局域网（WLAN）、蜂窝通信、卫星通信和射频识别（RFID）系统。它还可以用于无线基础设施设备，如基站和中继器，以提高信号传输的稳定性和覆盖范围。此外，该晶体管适用于需要高线性度和低失真的射频应用，例如射频信号发生器和频谱分析仪的前端放大器。