RF7245SR 时间：2025/8/16 8:08:12 阅读：20

RF7245SR是一款由Renesas Electronics设计的射频（RF）功率晶体管，主要用于高频率、高功率的射频放大应用。该器件基于硅双极晶体管技术，适用于广播、通信和工业射频加热等领域的功率放大器设计。RF7245SR具有高功率增益、良好的线性度和较高的效率，适用于AM、FM、TV发射机以及其他需要高功率输出的射频系统。

参数

类型：NPN射频双极晶体管（RF BJT）
　　最大集电极电流（IC）：15 A
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：65 V
　　最大集电极-基极电压（VCBO）：100 V
　　最大发射极-基极电压（VEBO）：4 V
　　最大耗散功率（PC）：300 W
　　工作温度范围：-65°C 至 +150°C
　　频率范围：最高可达500 MHz
　　输出功率：在225 MHz时可提供约125 W的射频输出功率
　　增益：典型值约为11 dB
　　阻抗匹配：输入和输出阻抗匹配于50Ω系统
　　封装类型：TO-240AB金属封装

特性

RF7245SR是一款高性能的射频功率晶体管，其主要特性包括高输出功率、优异的热稳定性和良好的线性度。该器件在225 MHz的工作频率下可以提供高达125 W的射频输出功率，适用于中高功率的射频放大器应用。其TO-240AB封装结构提供了良好的散热性能，确保在高功率工作条件下保持稳定。
　　该晶体管的最大集电极电流为15 A，集电极-发射极击穿电压为65 V，能够承受较高的电压应力和电流负载，适合高功率放大器的连续波（CW）和脉冲工作模式。此外，其最大耗散功率为300 W，具备较强的热管理能力，能够在高温环境下稳定工作。
　　RF7245SR的输入和输出阻抗匹配于50Ω系统，简化了外围电路的设计，减少了匹配网络的复杂度，提高了系统的整体效率。其典型增益为11 dB，在AM、FM和TV发射机等应用中能够提供稳定的放大性能。该器件还具备良好的互调失真（IMD）特性，确保信号传输的高保真度。
　　由于其高可靠性和良好的射频性能，RF7245SR广泛应用于广播发射机、无线基础设施、工业加热设备和射频测试设备等领域。其金属封装结构不仅提供了良好的射频屏蔽，还增强了机械强度，适用于各种严苛的工作环境。