RF7235TR13 是一款由RF Micro Devices(现为Qorvo)制造的高功率双极性射频晶体管(BJT),专为高频功率放大器应用而设计。该器件采用先进的SiGe(硅锗)技术,适用于2GHz以下的无线基础设施、基站放大器、工业设备和通信系统中的功率放大用途。RF7235TR13 提供高功率增益和出色的线性度,使其在蜂窝通信、W-CDMA、WiMAX和LTE等应用中表现出色。
频率范围:DC至2.5GHz
输出功率:高达30W(在2GHz)
增益:约12dB(在2GHz)
功率附加效率(PAE):约50%
最大漏极电压:32V
最大工作电流:1.5A
封装类型:表面贴装,SOT-89
RF7235TR13 采用SiGe工艺制造,具备高可靠性和良好的热稳定性。其高功率输出能力使其适合用于基站和高功率发射器。该器件提供高线性度,在多载波和宽带通信系统中能有效减少失真。此外,其紧凑的SOT-89封装便于集成在射频模块中,同时具备良好的散热性能。该晶体管的偏置电压可调,允许设计人员优化工作点以满足不同应用需求,如效率、线性度或输出功率的权衡。
该器件还具有良好的失配耐受性,能够在不同负载条件下保持稳定工作,减少因天线失配导致的故障风险。其设计支持连续波(CW)和脉冲操作模式,适用于多种无线通信标准。RF7235TR13 的输入和输出阻抗匹配良好,减少了外部匹配网络的复杂度,降低了设计难度和成本。
RF7235TR13 主要用于无线基础设施中的射频功率放大器,包括蜂窝基站、WiMAX基站、广播发射机和工业测试设备。它也适用于军事和航空航天领域的高功率射频系统,如雷达模拟前端和通信中继设备。在商业通信设备中,该晶体管可用于多频段功率放大器、宽带放大器和线性放大器模块的设计。此外,由于其良好的线性度和效率,该器件也可用于数字预失真(DPD)系统中,以提高整体系统性能。
RF7245TR13, RF7234TR13, RF7236TR13