RF7228SB 时间：2025/8/16 2:47:14 阅读：7

RF7228SB 是一款由 Renesas Electronics（瑞萨电子）推出的射频（RF）功率晶体管，专为高功率射频放大器应用而设计。该器件采用先进的 LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）技术，能够在高频率下提供高输出功率和高效率，适用于通信基础设施、广播系统、测试设备等领域的射频功率放大器。RF7228SB 具有良好的热稳定性和可靠性，适合在苛刻的工业环境中使用。

参数

类型：LDMOS RF功率晶体管
　　工作频率：2.3 GHz - 2.7 GHz
　　输出功率：800 W（典型值）
　　漏极电压：65 V
　　增益：20 dB（典型值）
　　效率：>65%
　　输入驻波比（VSWR）：<2.5:1
　　封装形式：气密封装
　　封装类型：金属陶瓷封装（Flanged Package）
　　工作温度范围：-65°C至+150°C

特性

RF7228SB 采用了先进的 LDMOS 工艺技术，使其在高频段仍能保持优异的功率放大性能。其高输出功率能力（高达800W）使其非常适合用于高功率发射系统。该器件具有较高的线性度和增益稳定性，能够在较宽的温度范围内保持良好的性能，适用于需要高可靠性和高效率的射频应用。
　　此外，RF7228SB 的封装设计优化了散热性能，确保在高功率工作状态下仍能维持较低的结温，延长器件寿命并提升系统稳定性。该晶体管还具有良好的输入匹配特性，降低了外围电路设计的复杂性，有助于简化射频功率放大器的设计与集成。
　　RF7228SB 还具备良好的抗失真能力，适合用于现代通信系统中对线性要求较高的调制方案，如OFDM、QAM等。其高效率特性也使得系统在运行过程中能够减少功耗，降低散热需求，从而提升整体系统的能效表现。

应用

RF7228SB 主要用于高性能射频功率放大器的设计，常见于无线通信基站、广播发射设备、雷达系统、工业加热设备、射频测试仪器等应用场景。由于其工作频率覆盖2.3 GHz至2.7 GHz，该器件特别适用于4G LTE、5G NR、WiMAX、DVB-T等现代通信标准下的高功率放大器模块。
　　在5G通信系统中，RF7228SB 可作为中频段（Sub-6GHz）基站发射机的主功率放大器，提供高效的射频能量输出。在广播领域，该器件可用于DVB-T或FM广播发射器的高功率输出级。此外，在工业和测试设备中，RF7228SB 可用于构建高功率射频信号源或放大器模块，满足科研、测试及工业加热等应用需求。