类型: N沟道LDMOSFET
　　工作电压: 28V
　　最大漏极电流: 1.8A
　　输出功率: 125W（在2.6GHz时）
　　频率范围: 1.8GHz - 2.7GHz
　　增益: 14dB（典型值）
　　效率: 60%以上（典型值）
　　封装类型: TO-264
　　热阻: Rth(j-c) = 0.35°C/W
　　工作温度范围: -55°C 到 +150°C

RF7221CTR7 是一款基于LDMOS技术的射频功率晶体管，具有出色的性能和稳定性，适用于各种高频功率放大应用。该晶体管的最大输出功率可达125W，在2.6GHz的频率下仍能保持高效率和高线性度。这使其成为无线基站、通信设备和测试仪器等应用的理想选择。
　　其高增益特性使得在设计放大器时可以减少级联级数，从而提高系统的整体效率并降低功耗。此外，该器件的高效率（超过60%）有助于减少热量产生，提高系统的可靠性和使用寿命。
　　RF7221CTR7 采用TO-264封装，具有良好的散热性能，能够有效管理高功率应用中的热量积累。其热阻（Rth(j-c)）为0.35°C/W，确保在高功率工作状态下，晶体管能够保持稳定的温度表现，避免因过热导致的性能下降或器件损坏。
　　该器件的工作温度范围为-55°C至+150°C，适应各种严苛的环境条件，适用于工业级和军用级应用。此外，LDMOS工艺赋予该晶体管较高的抗失真能力和良好的线性度，这在需要高质量信号传输的通信系统中尤为重要。
　　RF7221CTR7 还具备良好的稳定性和抗负载波动能力，即使在负载变化较大的情况下，也能保持稳定的输出功率。这种特性使得它在需要高可靠性的应用中表现出色，例如在移动通信基站、无线接入点和广播发射设备中。

RF7221CTR7 主要用于各种高频射频功率放大器设计，常见应用包括移动通信基站（如4G LTE和5G NR）、无线接入设备、广播发射机、雷达系统、测试测量仪器以及工业和医疗射频设备。该晶体管的高功率输出、高效率和宽频率响应使其在这些应用中能够提供优异的性能。例如，在无线通信系统中，RF7221CTR7 可用于构建高效的功率放大器模块，以增强信号传输距离和稳定性。在测试设备中，该器件可以用于生成高功率射频信号以进行设备测试和校准。由于其良好的线性度和抗失真能力，它也常用于需要高质量信号放大的应用，如数字电视广播和卫星通信系统。

RF3115, MRF6V21000AN, AFT05MS004N