RF7176D是一款由Renesas Electronics公司推出的高性能射频(RF)功率放大器芯片,专为蜂窝通信系统设计,适用于4G LTE和5G NR等新一代无线通信应用。该器件采用先进的GaAs HBT(异质结双极晶体管)技术,具备高效率、高线性度和高输出功率的特点,能够在2.3 GHz至2.7 GHz的频率范围内稳定工作。RF7176D采用紧凑的表面贴装封装,便于集成到各种无线通信设备中,如基站、射频拉远单元(RRU)和分布式天线系统(DAS)等。
工作频率范围:2.3 GHz至2.7 GHz
输出功率:典型值为31 dBm(在2.6 GHz下)
功率增益:典型值为32 dB
效率:典型值为40%
电源电压:典型值为+5V
工作温度范围:-40°C至+85°C
封装类型:24引脚QFN(四方扁平无引脚)
RF7176D具有多项优异的电气和物理特性,首先,其高输出功率和高增益使其能够满足现代通信系统对高线性度和高效率的要求,尤其是在多频段和多模式应用中表现出色。其次,该器件采用先进的热管理设计,能够在高功率输出下保持良好的热稳定性,确保长时间运行的可靠性。
此外,RF7176D具备良好的输入回波损耗(S11)和输出回波损耗(S22),确保信号传输的匹配性和稳定性,减少反射损耗。其高线性度特性有助于降低信号失真,提高系统整体性能,适用于高数据速率传输的5G NR等应用。
该芯片还内置了过热保护和过流保护功能,进一步增强了系统的稳定性和可靠性。其紧凑的封装形式也使得PCB布局更加灵活,有助于减小整体系统尺寸。
RF7176D广泛应用于各种无线通信基础设施,包括4G LTE基站、5G NR远程射频单元(RRU)、分布式天线系统(DAS)、无线接入网络(RAN)设备以及工业和商业级无线通信模块。此外,该器件也适用于测试设备和测量仪器中的射频信号放大环节。
HMC1119BFMC, RF7166D