时间：2025/8/16 1:51:23
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RF7061E3.1TR7X 是一款由 RF Micro Devices（现为 Qorvo）生产的高性能射频（RF）功率晶体管，专为高功率、高频应用设计。该器件采用先进的 GaN（氮化镓）技术制造，具有出色的效率和热性能，适用于无线基础设施、雷达系统、测试设备和其他高功率射频应用。RF7061E3.1TR7X 工作频率范围覆盖 1.8 GHz 至 2.4 GHz，能够提供高达 65W 的连续波（CW）输出功率，具有高增益和高线性度的特点，使其成为许多高性能射频放大器设计的理想选择。
制造商: Qorvo (RF Micro Devices)
类型: GaN HEMT
工作频率: 1.8 GHz - 2.4 GHz
输出功率: 65W CW
增益: 20 dB
电源电压: 28V
封装类型: Surface Mount
工作温度范围: -40°C 至 +85°C
RF7061E3.1TR7X 的核心特性之一是其基于 GaN 技术的高功率密度，使得该器件能够在相对较小的封装中提供高达 65W 的输出功率。GaN 材料的优势在于其优异的热稳定性和高电子迁移率，从而实现了高效率和高可靠性。该器件在 1.8 GHz 至 2.4 GHz 的频率范围内保持稳定的性能，适用于多种现代通信标准，如 LTE、WiMAX 和 5G 预部署系统。
此外，RF7061E3.1TR7X 在设计上优化了线性度和效率，使其在高功率应用中能够保持较低的失真和良好的热管理能力。其 20 dB 的典型增益确保了在多级放大器设计中能够有效减少前置放大器的需求，从而简化系统设计并降低成本。器件支持 28V 的电源供电，适用于多种高功率射频系统架构。
该晶体管采用表面贴装封装（SMT），便于自动化装配，同时具备良好的散热性能，适合在高温环境下运行。其宽广的工作温度范围（-40°C 至 +85°C）使其适用于各种工业和军事环境。
RF7061E3.1TR7X 广泛应用于高功率射频系统，包括无线基站、蜂窝基础设施、WiMAX 基站、5G 测试设备、雷达和测试测量仪器等。由于其高输出功率和优良的线性度，它特别适用于需要高数据速率和低失真的通信系统。此外，该器件也常用于广播设备、工业加热系统和医疗射频设备中的功率放大器模块。
RF7061E3.1TR7, RF7061E3.1TR7X 的替代型号包括 Cree/Wolfspeed 的 CGH40060 和 NXP 的 MRFE6VP61K25H。这些器件在功率输出、频率范围和封装形式上具有相似特性，适用于类似的高功率射频应用。
