RF6559PCK-410 是一款由 RF Micro Devices(现为 Qorvo)生产的高性能射频(RF)晶体管,专门用于高频、高功率应用。该器件是一款横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管,适用于从400 MHz到4 GHz的宽带频率范围。该器件采用紧凑的表面贴装封装,适合无线通信基础设施、广播、测试设备和工业应用。
型号: RF6559PCK-410
类型: LDMOS RF晶体管
封装类型: 表面贴装(Surface Mount)
工作频率范围: 400 MHz - 4 GHz
最大漏极电压: 50 V
输出功率: 50 W(典型)
增益: 18 dB(典型)
效率: 65%(典型)
输入驻波比(VSWR): 10:1
工作温度范围: -65°C 至 +150°C
RF6559PCK-410 是一款专为高线性度和高效率设计的射频功率晶体管。该器件采用先进的LDMOS技术,能够在广泛的频率范围内提供稳定的性能。其主要特性包括宽频率覆盖范围(400 MHz至4 GHz),使其适用于多种无线通信标准,如Wi-Fi、WiMAX、LTE和DVB-T等。
该晶体管的典型输出功率为50 W,增益为18 dB,效率高达65%,非常适合高能效要求的应用。此外,该器件具有出色的热稳定性和可靠性,能够在恶劣的环境条件下稳定运行。其10:1的输入驻波比(VSWR)容限使其在失配条件下仍能保持良好的性能。
封装方面,RF6559PCK-410采用紧凑的表面贴装封装,便于自动化生产和PCB布局。这种封装形式也有助于提高散热效率,确保长时间高功率工作的稳定性。
RF6559PCK-410 主要用于各种射频和微波应用,包括无线基站、WiMAX和LTE基础设施设备、广播放大器、测试和测量设备、医疗射频设备以及工业加热系统。由于其高频性能和高输出功率能力,该器件在需要宽带覆盖和高线性度的通信系统中表现出色。其稳定性和可靠性也使其成为高要求工业应用的理想选择。
NXP MRFE6VP61K25H, Freescale MRF6VP2030N