RF6361ATR13是一款由Renesas Electronics设计的射频(RF)功率晶体管,专为高频和高功率应用而设计。该器件基于LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)技术,提供了优异的射频性能,包括高增益、高效率和良好的热稳定性。RF6361ATR13适用于无线基础设施、广播系统、工业加热设备和医疗设备等需要高频高功率放大的领域。
类型:LDMOS RF功率晶体管
工作频率:2.3 GHz - 2.7 GHz
输出功率:典型值为60W
增益:约18 dB
效率:典型值65%
工作电压:+28V
封装类型:表面贴装(SMD)
阻抗匹配:50Ω
RF6361ATR13的LDMOS技术使其在高频段具有出色的线性度和稳定性,这在无线通信系统中尤为重要。
其高输出功率和增益特性使得该器件适用于基站放大器、广播发射机以及各种射频能量应用。
该晶体管的封装设计优化了热管理和射频性能,有助于在高功率运行时保持稳定的工作温度。
此外,RF6361ATR13的输入和输出端口具有良好的阻抗匹配能力,简化了外部电路的设计并提高了整体系统的可靠性。
它还具备一定的过热和过载保护能力,增强了器件的耐用性和长期稳定性。
RF6361ATR13广泛用于无线通信基础设施,如4G/5G基站、微波链路和广播发射系统。
在工业和医疗领域,它可用于射频加热、等离子体发生器以及射频驱动的治疗设备。
由于其优异的线性度和稳定性,该器件也适合用于测试设备和测量仪器中的高功率射频源。
此外,RF6361ATR13还可用于军事和航空航天应用,如雷达系统和卫星通信设备。
NXP MRF6S27045H, Freescale MRFE6S27045T, Infineon BLP0427-60S